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J-GLOBAL ID：202202266334210669   整理番号：22A0493905

二次元12角形窒化ほう素の設計【JST・京大機械翻訳】

Designing two-dimensional dodecagonal boron nitride

著者 (6件)： Suzuki Hajime (Department of Chemistry, Hokkaido University, North 10, West 8, Sapporo 060-0810, Japan. [e-mail] [e-mail] [e-mail]) ,  Miyazato Itsuki ,  Hussain Tanveer ,  Ersan Fatih ,  Maeda Satoshi ,  Takahashi Keisuke
資料名： CrystEngComm  (CrystEngComm)
巻： 24  号： 3  ページ： 471-474  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2462A  ISSN： 1466-8033  CODEN： CRECF4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二次元十角形窒化ホウ素を第一原理計算により設計した。計算は,提案した二次元ドデカゴナル窒化ホウ素が,二次元窒化ホウ素の六方晶および八角形配置で観測されるものより,エネルギー的に安定であり,緻密でないことを明らかにした。さらに,二次元窒化ホウ素の原子配置を修正すると,バンド構造を調整できることが分かった。特に,5.2eVの直接バンドギャップが2次元ドデカゴナル窒化ホウ素に対して観察され,一方,5.79eVの直接バンドギャップと5.20eVの間接バンドギャップがそれぞれ六角形と八角形配置に対して観測された。このように,原子配置の調整は,二次元材料の電気バンド構造を調整する可能性を実証した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： バンド構造 ,  六方晶系 ,  *二次元 ,  *窒化ホウ素
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  間接バンドギャップ ,  原子配置 ,  直接バンドギャップ ,  二次元材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 塩  (CD01050V) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (3件)： 角形 ,  窒化ほう素 ,  設計