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J-GLOBAL ID：202202266439383169   整理番号：22A0475382

電気化学的水素発生反応のための2H@1TMoS_2の欠陥工学駆動相構造設計【JST・京大機械翻訳】

Defect engineering-driven phase structure design of 2H@1T MoS₂ for electrochemical hydrogen evolution reaction

著者 (5件)： Sheng Minhao (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education, International Center for Dielectric Research, Shaanxi Engineering Research Center of Advanced Energy Materials and Devices, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an...) ,  Bin Xiaoqing (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education, International Center for Dielectric Research, Shaanxi Engineering Research Center of Advanced Energy Materials and Devices, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an...) ,  Yang Yawei (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education, International Center for Dielectric Research, Shaanxi Engineering Research Center of Advanced Energy Materials and Devices, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an...) ,  Tang Yi (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education, International Center for Dielectric Research, Shaanxi Engineering Research Center of Advanced Energy Materials and Devices, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an...) ,  Que Wenxiu (Electronic Materials Research Laboratory, Key Laboratory of the Ministry of Education, International Center for Dielectric Research, Shaanxi Engineering Research Center of Advanced Energy Materials and Devices, School of Electronic Science and Engineering, Xi’an Jiaotong University, Xi’an...)
資料名： Materials Letters  (Materials Letters)
巻： 311  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： E0935A  ISSN： 0167-577X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： MoS_2のような二次元遷移金属カルコゲン化物材料は,それらのユニークな電子構造による電気化学的水素発生反応(HER)の分野で広い応用展望を有する。ここでは,MoS_2の相構造成分を制御するための欠陥工学戦略を報告する。容易な2段階ソルボサーマル法によりMoS_2基板面に豊富な欠陥を導入し,1T相に変換するために周囲の2HMoS_2格子を誘導した。同時に,一般的な界面活性剤として臭化ヘキサデシルトリメチルアンモニウム(CTAB)を導入し,層状触媒の積層を阻害し,1T相の割合を50%増加させた。高含有量1TMoS_2相の存在は,45.9mVdec-1の小さなTafel勾配と10mAcm-2で182mVの低い過電圧を有する優れた触媒活性を有した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 遷移金属 ,  電子構造 ,  過電圧 ,  界面活性剤 ,  触媒活性 ,  カルコゲン化物 ,  *構造設計 ,  *電気化学 ,  二次元 ,  *水素発生反応
準シソーラス用語： ソルボサーマル合成 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： エネルギー貯蔵と変換 ,  欠陥 ,  MoS_2 ,  相変態

分類 (2件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  塩  (CD01050V)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電気化学 ,  水素発生反応 ,  欠陥 ,  工学 ,  相構造 ,  設計