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J-GLOBAL ID：202202266446308772   整理番号：22A0560179

フレキシブルReRAMおよびシナプスデバイスのためのヘテロ構造炭素充填MoSSeナノスフェア【JST・京大機械翻訳】

Heterostructure carbon-packed MoSSe nanospheres for flexible ReRAM and synapse devices

著者 (4件)： Rani Adila (School of Electrical Engineering, Korea University, Anam-ro 145, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Khot Atul C. (School of Electrical Engineering, Korea University, Anam-ro 145, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Jang Il Gyu (School of Electrical Engineering, Korea University, Anam-ro 145, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea) ,  Kim Tae Geun (School of Electrical Engineering, Korea University, Anam-ro 145, Seongbuk-gu, Seoul, 02841, Republic of Korea)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 189  ページ： 104-112  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文は,空孔支援炭素充填MoSSe(C@MoSSe)ナノスフェアの合成およびメムリスタおよび神経形態デバイスにおけるそれらの使用について報告する。フレキシブル基板上に大規模で均一なC@MoSSe膜を合成するために,簡単な水熱および超音波処理法を用いてヘテロ構造C@MoSSeナノスフェアを作製した。ヘテロ構造MoSSeナノスフェアにしっかりに付着した炭素骨格は,MoSSeナノスフェアの欠陥表面上の空孔に低sp2特性を割り当てるのを助け,それによって高度に安定なメムリスタと神経形態性能の実現を容易にした。さらに,MoSSeの純粋相の結晶格子の欠陥は,バンドギャップ(約4.39eV)を増加させ,MoSSe(1.2および1.9eV)のバルクおよびJanus構造より大きく,トラップ充填によるキャリア輸送をもたらした。C@MoSSeベースのメムリスタは,シナプス可塑性の基本的および複雑な特性を成功裏に模倣し,約460μsの臨界時間窓を有し,ヒト脳のそれより低かった。高いオン/オフ電流比,合理的に低い動作電圧,および安定性のようなバイポーラメモリ性能は,C@MoSSe層の厚さに依存した。この知見は,C@MoSSeベースのメムリスタの適用可能性を実証し,大規模神経形態回路の実現を促進できる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電流 ,  *炭素 ,  *シナプス ,  ヒト ,  *素子構造 ,  結晶格子 ,  *ナノ構造 ,  バンドギャップ ,  フレキシブル基板
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  *ヘテロ構造 ,  シナプス可塑性 ,  抵抗スイッチング ,  *ReRAM ,  メモリスタ ,  *ナノスフェア ,  動作電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ヘテロ構造 ,  炭素充填(C@MoSSe) ,  ナノスフェア ,  抵抗スイッチング ,  記憶効果 ,  シナプス効果

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (5件)： ReRAM ,  シナプス ,  ヘテロ構造 ,  炭素 ,  ナノスフェア