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J-GLOBAL ID：202202266550370033   整理番号：22A1153790

超高速自己出力光検出のためのウエハスケールInN/In_2S_3コア-シェルナノロッドアレイ【JST・京大機械翻訳】

Wafer-Scale InN/In₂S₃ Core-Shell Nanorod Array for Ultrafast Self-Powered Photodetection

著者 (9件)： Cao Ben (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Cao Ben (Institute of Atomic and Molecular Science, Shaanxi University of Science and Technology, Xi’an, 710021, China) ,  Liu Qianhu (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Zheng Yulin (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Tang Xin (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Chai Jixing (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Ma Shufang (Institute of Atomic and Molecular Science, Shaanxi University of Science and Technology, Xi’an, 710021, China) ,  Wang Wenliang (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Department of Electronic Materials, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China) ,  Li Guoqiang (State Key Laboratory of Luminescent Materials and Devices, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Department of Electronic Materials, School of Materials Science and Engineering, South China University of Technology, Guangzhou, 510640, China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 32  号： 14  ページ： e2110715  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自己出力光検出器は,民間通信,赤外線マッピング,および産業自動制御のような分野における電子応用の道を開く。しかし,ほとんどの自己出力光検出器は,光応答速度とデバイス規模のボトルネックに直面している。ここでは,コア-シェルInN/In_2S_3ナノロッドアレイに基づく超高速応答速度を有する新しい自己出力検出器を提案した。良好な均一性を有するウエハスケールのInN/In_2S_3ナノロッドアレイを,分子線エピタキシーと化学蒸着を含む簡単な二段階法によりSi基板上に合成した。光検出器デバイスは優れた自己出力特性と5×103の高いオン/オフ比を示した。さらなる分析は,このデバイスが,それぞれ140mA・W-1と4.0×1010Jones(0V)の優れた光起電力応答性と検出性を有することを示した。印象的に,このデバイスは,22/32μsの上昇/落下時間を有する超高速光応答を示した。超高速応答速度を有する自己出力InN/In_2S_3光検出器は電子応用に対して優れた可能性を示した。コア-シェルナノ構造ハイブリッドヘテロ接合はウエハスケールナノ光検出器の新しいアイデアを導入した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： ヘテロ接合 ,  応答 ,  光起電力 ,  赤外線 ,  光検出器 ,  応答特性 ,  *配列 ,  通信 ,  化学蒸着 ,  *光検出 ,  MBE成長 ,  ナノ構造 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： 光応答 ,  シリコンウエハ ,  超高速 ,  *ナノロッドアレイ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： コア-シェルナノロッド ,  InN/In_2S_3 ,  自己出力光検出器 ,  超高速光検出 ,  ウエハスケール

分類 (5件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  発光素子  (NC03082G) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  分析機器  (CC02020S) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (7件)： 自己 ,  出力光 ,  ウエハ ,  スケール ,  InN ,  コア-シェル ,  ナノロッドアレイ