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J-GLOBAL ID：202202266727643798   整理番号：22A0492497

モノリシック4H-SiCにおける広帯域単一モード平面導波路【JST・京大機械翻訳】

Broadband single-mode planar waveguides in monolithic 4H-SiC

著者 (6件)： Bosma Tom (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, NL-9474AG Groningen, The Netherlands) ,  Hendriks Joop (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, NL-9474AG Groningen, The Netherlands) ,  Ghezellou Misagh (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, S-581 83 Linkoping, Sweden) ,  Son Nguyen T. (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, S-581 83 Linkoping, Sweden) ,  Ul-Hassan Jawad (Department of Physics, Chemistry and Biology, Linkoping University, S-581 83 Linkoping, Sweden) ,  van der Wal Caspar H. (Zernike Institute for Advanced Materials, University of Groningen, NL-9474AG Groningen, The Netherlands)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 131  号： 2  ページ： 025703-025703-9  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 炭化ケイ素中の色中心欠陥は,計算,センシング,および通信などのいくつかの分野でオプトエレクトロニクス量子応用を約束する。既存のシリコンデバイスプラットフォームとこれらの機能性を縮小し,結合するために,SiC集積光学を考えることが重要である。近年,フォトニック結晶共振器,膜オンインシュレータ導波路,マイクロリング共振器のようなSiCフォトニックプラットフォームの多くの例が示されてきた。しかし,これらの全ての例は基板ウエハからのSiCの薄膜分離に依存する。これは,材料中の顕著な表面粗さ,歪,および欠陥を導入し,色中心の光学的性質の均一性に大きく影響する。ここでは,SiC中のモノリシック単結晶集積光子素子を作製する方法を示し,電荷キャリア濃度による光学特性の調整を行った。固有層が導波路コアとして作用するモノリシックSiC n-i-nとp-i-n接合を作製し,これらの試料の導波路機能性を実証した。伝搬損失は14dB/cm以下であった。これらの導波路タイプは,光遷移周波数の低い歪誘起不均一性を有する広い波長領域にわたる色中心に対処することを可能にする。さらに,著者らの知見は,p-i-n接合に基づく導波路とデバイスを製作するための道路を開放し,シリコンカーバイドにおける欠陥の高強度光制御と共に,統合静電および高周波制御を可能にすることを期待する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光子 ,  単結晶 ,  薄膜 ,  炭化ケイ素 ,  HF【周波数】 ,  集積光学 ,  オプトエレクトロニクス ,  *広帯域 ,  *単一モード ,  *平面導波路 ,  *導波路
準シソーラス用語： マイクロリング共振器 ,  電荷キャリア ,  伝搬損失 ,  シリコンチップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  広帯域 ,  単一モード ,  平面導波路