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J-GLOBAL ID：202202266764209474   整理番号：22A0590350

異なるZ型フォスフォレンナノリボンデバイスを通る電子輸送における異常特性の普遍性【JST・京大機械翻訳】

Universalities of anomalous properties in electron transport through different Z-shaped phosphorene nanoribbon devices

著者 (6件)： Song M. R. (School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Shi H. L. (School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Jiang Z. T. (School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Ren Y. H. (School of Physics, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081, China) ,  Yang J. (Shandong Graphenjoy Advanced Material Co. Ltd, Dezhou 253072, China) ,  Han Q. Z. (Beijing Academy of Quantum Information Sciences, Beijing 100193, China)
資料名： Modern Physics Letters B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics  (Modern Physics Letters B. Condensed Matter Physics, Statistical Physics, Applied Physics)
巻： 36  号： 1  ページ： 2150240  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0431A  ISSN： 0217-9849  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： シンガポール (SGP)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ホスホレン系ナノデバイスを設計する柔軟性の改善を目的として,2つの金属ナノリボン電極と1つの半導体/金属ナノリボン中心領域(CR)から成る3種類のZ型ホスホレンナノリボン(ZPNR)を提案した。低バイアス電圧,負の微分コンダクタンス,および輸送機構の遷移の下で増加する予想外の電流を含む多くの異常特性は,異なるZPNRsにおいて普遍的であることが分かった。また,CR長さの増加によって,電流を著しく抑制することができ,一方,CR幅の増大によって完全な抑制は誘導できず,CR長さと幅がZPNR輸送に異なる影響を及ぼすことを示した。さらに,2つの電極のエネルギースペクトル,CRの分子エネルギー準位,透過係数,および伝送固有状態をさらに計算し,異常特性とそれらの普遍性を明確に説明した。この検討は,ホスホレン系電子デバイスを開発するための有意義な指針を提供できると信じる。Copyright 2022 World Scientific Publishing Company All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *電流 ,  半導体 ,  *輸送現象 ,  特性 ,  固体素子 ,  エネルギー分布 ,  透過率 ,  分子エネルギー準位 ,  *リボン結晶 ,  *ナノ構造 ,  普遍性
準シソーラス用語： *ナノリボン ,  ナノデバイス ,  電子素子 ,  バイアス電圧 ,  微分コンダクタンス ,  固有状態 ,  *電子輸送 ,  *フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： Z型フォスフォレンナノリボン ,  異常特性 ,  普遍性

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (2件)： 電子輸送 ,  普遍性