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J-GLOBAL ID：202202266841574763   整理番号：22A0482693

45V入力1MHzハーフブリッジコンバータのためのタイミング素子を持つアクティブデッドタイム制御回路【JST・京大機械翻訳】

An Active Dead-Time Control Circuit With Timing Elements for a 45-V Input 1-MHz Half-Bridge Converter

著者 (5件)： Karimi Mousa (Smart Biomedical Microsystems Laboratory, Universite ́ Laval, Quebec, QC, Canada) ,  Ali Mohamed (Department of Electrical Engineering, Polystim Neurotechnology Laboratory, Polytechnique Montreal, Montreal, QC, Canada) ,  Hassan Ahmad (Department of Electrical Engineering, Polystim Neurotechnology Laboratory, Polytechnique Montreal, Montreal, QC, Canada) ,  Sawan Mohamad (Department of Electrical Engineering, Polystim Neurotechnology Laboratory, Polytechnique Montreal, Montreal, QC, Canada) ,  Gosselin Benoit (Smart Biomedical Microsystems Laboratory, Universite ́ Laval, Quebec, QC, Canada)
資料名： IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers  (IEEE Transactions on Circuits and Systems 1: Regular Papers)
巻： 69  号： 1  ページ： 30-41  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0226B  ISSN： 1549-8328  CODEN： ITCSCH  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,ハーフブリッジコンバータスイッチの高および低側に対する独立遅延を生成するために,デッドタイム制御回路を提案した。電力変換器の損失を大きく低減することに加えて,提案方法は,重畳電力スイッチの適用を通して,シュートスルー電流を緩和する。ここで提示した回路はスイッチキャパシタアーキテクチャから成り,AMS0.35μm技術に実装される。実装において,提案したデッドタイム制御回路は70μm×180μmのシリコン面積を占める。この技術を実現するために,二面幅広スイング電流源を採用した。電流源の各側面は,2つのキャパシタ,2つのSchmittトリガ,および3つの伝送ゲートを有する。結果は,投影された半ブリッジコンバータスイッチの低と高側が,それぞれ35と62nsの遅れを必要とすることを示した。提案したデッドタイム回路の性能をハーフブリッジコンバータでそれを組み立てることによって評価した。提案したデッドタイムプロトタイプは,ハーフブリッジ回路における電力損失の40%低下を達成した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： コンデンサ ,  畳込み ,  電力 ,  ケイ素 ,  電力変換器 ,  *制御回路 ,  不感時間 ,  計算機アーキテクチャ ,  プロトタイプ
準シソーラス用語： 電流源 ,  電力損失 ,  *ハーフブリッジ ,  貫通電流 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (2件)： ハーフブリッジ ,  コンバータ