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J-GLOBAL ID：202202266871509429   整理番号：22A0444760

非ドープZnOナノ構造における欠陥関連放出に関するレビュー【JST・京大機械翻訳】

A review on defect related emissions in undoped ZnO nanostructures

著者 (3件)： Rai Hritika (Department of Physics, Chandigarh University, Gharuan, Mohali, Punjab, India) ,  Prashant (Department of Physics, Chandigarh University, Gharuan, Mohali, Punjab, India) ,  Kondal Neha (Department of Physics, Chandigarh University, Gharuan, Mohali, Punjab, India)
資料名： Materials Today: Proceedings  (Materials Today: Proceedings)
巻： 48  号： P5  ページ： 1320-1324  発行年： 2022年 
JST資料番号： W3531A  ISSN： 2214-7853  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オプトエレクトロニクス,スピン発光ダイオード,光起電素子,光検出器および太陽電池における潜在的な応用のため,希薄磁性半導体のための優れたホストとしてのZnOにおいて,異常に関心が持たれている。3.3eVの広いバンドギャップと大きな励起子結合エネルギーは,スピン発光ダイオードのための潜在的材料になる。ZnOの天然欠陥の分布と相互作用は,ZnOの光学的および磁気的性質の調整において主要な役割を果たす。欠陥の再分布とその発光特性を光ルミネセンス(PL)分光法の助けで分析できた。本論文では,ZnOの固有欠陥のルミネセンスとそのPLスペクトルにおける発光についてレビューした。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  結合エネルギー ,  相互作用 ,  太陽電池 ,  光ルミネセンス ,  ルミネセンス ,  励起子 ,  *酸化亜鉛 ,  *ドーピング ,  オプトエレクトロニクス ,  *ナノ構造 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 希薄磁性半導体 ,  固有欠陥 ,  光ルミネセンススペクトル , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ZnO ,  光ルミネセンス ,  欠陥 ,  グリーンエミッション

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (6件)： ドープ ,  ZnO ,  ナノ構造 ,  欠陥 ,  放出 ,  レビュー