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J-GLOBAL ID：202202267465993594   整理番号：22A0705137

低周波雑音分光法を用いた強誘電体トンネル接合における作動原理の包括的で正確な解析【JST・京大機械翻訳】

Comprehensive and accurate analysis of the working principle in ferroelectric tunnel junctions using low-frequency noise spectroscopy

著者 (11件)： Shin Wonjun (Department of Electrical and Computer Engineering and Inter-university Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 08826, Republic of Korea. [e-mail]) ,  Min Kyung Kyu ,  Bae Jong-Ho ,  Yim Jiyong ,  Kwon Dongseok ,  Kim Yeonwoo ,  Yu Junsu ,  Hwang Joon ,  Park Byung-Gook ,  Kwon Daewoong ,  Lee Jong-Ho
資料名： Nanoscale  (Nanoscale)
巻： 14  号： 6  ページ： 2177-2185  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2323A  ISSN： 2040-3364  CODEN： NANOHL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 最近,強誘電体トンネル接合(FTJs)は,神経形態学的コンピューティングのための新たな記憶とシナプスデバイスのための可能な候補として大きな注目を集めている。しかし,FTJの作動原理は,それらの理解の重要性にもかかわらず議論の余地がある。本研究では,低周波雑音(LFN)分光法を用いた金属-ferroelectric-誘電体-半導体積層FTJの作動原理の包括的な正確な解析を示した。抵抗ランダムアクセスメモリとは対照的に,低抵抗状態(LRS)におけるFTJの1/f雑音は,高抵抗状態(HRS)におけるそれより約2桁大きく,各状態における伝導機構が大きく異なることを示した。さらに,各状態におけるFTJの伝導を決定する因子を,電気バイアス,温度,およびバイアス応力の変化のような様々な条件下で系統的調査を通して明らかにした。さらに,高圧成形ガスアニーリングを用いて,LRSとHRSの両方でFTJのLFNを低減する効率的な方法を提案した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強誘電体 ,  半導体 ,  *誘電体 ,  *低周波雑音 ,  シナプス ,  計算 ,  *トンネル接合 ,  1/f雑音 ,  バイアス
準シソーラス用語： *動作原理 ,  ReRAM ,  伝導機構 ,  神経形態学 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  金属-絶縁体転移  (BM02110T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 低周波雑音 ,  分光法 ,  強誘電体 ,  トンネル接合 ,  作動原理 ,  解析