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J-GLOBAL ID：202202267483734115   整理番号：22A0647579

光浮遊帯法で成長させた高速(Ce,Gd)_3Ga_2Al_3O_12シンチレータ【JST・京大機械翻訳】

Fast (Ce,Gd)₃Ga₂Al₃O₁₂ Scintillators Grown by the Optical Floating Zone Method

著者 (24件)： Wu Tong (College of Physical Science and Technology, Central China Normal University, China) ,  Wu Tong (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Ling (College of Physical Science and Technology, Central China Normal University, China) ,  Wang Ling (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shi Yun (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Shi Yun (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Science, China) ,  Xu Tianzhao (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Xu Tianzhao (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Science, China) ,  Wang Hui (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Fang Jinghong (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Ni Jinqi (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  He Huan (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wang Chaoyue (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Wan Bo (Artificial Crystal Research Center, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Ding Dongzhou (Artificial Crystal Research Center, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Zhou Zhenzhen (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Qian (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Liu Qian (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Science, China) ,  Li Qin (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Yu Jianding (State Key Laboratory of High Performance Ceramics and Superfine Microstructure, Shanghai Institute of Ceramics, Chinese Academy of Sciences, China) ,  Yu Jianding (Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering, University of Chinese Academy of Science, China) ,  Huang Xintang (College of Physical Science and Technology, Central China Normal University, China) ,  Shichalin Oleg. (Far Eastern Federal University, Russian) ,  Papynov E. K. (Far Eastern Federal University, Russian)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 22  号： 1  ページ： 180-190  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 光学浮遊帯(OFZ)法により一連の(Ce_xGd_1-x)_3Ga_2Al_3O_12(Ce/GGAG)結晶を成長させた。良好な結晶性を有するCe/GGAG単結晶を,酸素雰囲気(100%)と補助圧力(0.3MPa)を導入して,コンテナフリー環境におけるGa_2O_3揮発を抑制した。種々のCe3+ドーピング濃度を有するCe/GGAG結晶の光ルミネセンス(PL)とシンチレーション特性を研究した。0.2~0.8%Ce濃度範囲において,積分PL強度はCe濃度による近似Gauss分布に従って変化し,0.6at%Ce/GGAG結晶が最高の積分PL強度を有することを見出した。Gd3+発光はX線励起の下で観察され,これは以前にほとんど報告されていない。最大光収率は0.6at%Ce/GGAG結晶で38,848pho/MeVに達した。より重要なことに,Ga/Al=2/3比のCe/GGAG結晶において,高速減衰と高速成分の高い比(71ns66%)が得られ,これは結晶成長中にO_2(100%)雰囲気を導入することによる組成偏差の抑制に起因した。光学浮遊帯法は,シンチレーション性能を最適化するために,Ce/GGAG結晶の組成工学研究において有効であることを示す。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結晶成長 ,  最適化 ,  シンチレーション ,  *シンチレータ ,  単結晶 ,  発光 ,  光ルミネセンス ,  正規分布 ,  *セリウム ,  収率 ,  近似法 ,  ドーピング ,  結晶度
準シソーラス用語： 酸素雰囲気 ,  X線励起 ,  光収率 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 無機化合物のルミネセンス  (BM08093J) ,  その他の無機化合物の結晶成長  (BK13060T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 浮遊 ,  成長 ,  Ce ,  Gd ,  シンチレータ