文献

J-GLOBAL ID：202202268095352842   整理番号：22A0856825

NaNbO_3セラミックの微細構造と電気的性質に及ぼすBサイトアクセプタドーピングの影響【JST・京大機械翻訳】

The effect of B-site acceptor doping on the microstructure and electric properties of NaNbO₃ ceramics

著者 (8件)： Ye Fen (Jiangxi Key Laboratory of Advanced Ceramic Materials, Department of Material Science and Engineering, Jingdezhen Ceramic University, Jingdezhen, Jiangxi, China) ,  Ye Fen (College of Material and Chemical Engineering, Tongren University, Tongren, China) ,  Jiang Xiangping (Jiangxi Key Laboratory of Advanced Ceramic Materials, Department of Material Science and Engineering, Jingdezhen Ceramic University, Jingdezhen, Jiangxi, China) ,  Huang Xiaokun (Jiangxi Key Laboratory of Advanced Ceramic Materials, Department of Material Science and Engineering, Jingdezhen Ceramic University, Jingdezhen, Jiangxi, China) ,  Zeng Renfen (Jiangxi Key Laboratory of Advanced Ceramic Materials, Department of Material Science and Engineering, Jingdezhen Ceramic University, Jingdezhen, Jiangxi, China) ,  Chen Chao (Jiangxi Key Laboratory of Advanced Ceramic Materials, Department of Material Science and Engineering, Jingdezhen Ceramic University, Jingdezhen, Jiangxi, China) ,  Nie Xin (Jiangxi Key Laboratory of Advanced Ceramic Materials, Department of Material Science and Engineering, Jingdezhen Ceramic University, Jingdezhen, Jiangxi, China) ,  Cheng Hao (College of Material and Chemical Engineering, Tongren University, Tongren, China)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 33  号： 7  ページ： 4497-4509  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： NaNbO_3(NN)の二重P-Eヒステリシスループの反強誘電相および展示の増強は,近年ホットな研究題目である。本研究では,多結晶セラミックNa(Nb_0.99M_0.01)O_2.995(M=Si,SnおよびHf)を固相反応法により成功裏に調製した。サンプルにおける酸素空孔と欠陥双極子の「ピンニング」効果は,微細構造と電気的性質の性能に明らかに影響を及ぼし,室温でNN-Snで,この特性は,ドメイン壁との酸素空孔の相互作用と欠陥双極子の欠陥分極である。より多くのAサイト欠陥が,ドメイン壁運動をより容易にするNN-SiとNN-Snに存在し,正方形P-Eループが室温で現れる。Hf4+ドーピングがAFE→FEのエネルギー障壁を増加させるので,NN-Hfの破壊強度は改善された。したがって,正方形P-Eループは,室温で破壊する前にNN-Hfに現れなかった。反強誘電相は高温でNNで容易に誘起され,二重P-Eループは120°Cですべての試料で現れた。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 高温 ,  固相反応 ,  *セラミック ,  相互作用 ,  分極 ,  *電気的性質 ,  曲線 ,  多結晶 ,  *ドーピング ,  破壊強さ ,  電気双極子 ,  室温 ,  ピン止め
準シソーラス用語： ヒステリシスループ ,  酸素空格子点 ,  エネルギー障壁 ,  欠陥双極子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： セラミック ,  微細構造 ,  電気的性質