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J-GLOBAL ID：202202268251412230   整理番号：22A0896144

バンドエンジニアリング準AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ-過渡時間(HEMATT)発振器:サブmm周波数領域における電気光学相互作用研究【JST・京大機械翻訳】

Band-engineered quasi-AlGaN/GaN high-electron-mobility-avalanche-transit-time (HEMATT) oscillator: electro-optical interaction study in sub-mm frequency domain

著者 (2件)： Chatterjee Sulagna (Department of ECE, Adamas University, Kolkata, India) ,  Mukherjee Moumita (Department of Physics, Adamas University, Kolkata, India)
資料名： European Physical Journal Plus  (European Physical Journal Plus)
巻： 137  号： 3  ページ： 343  発行年： 2022年 
JST資料番号： W4350A  ISSN： 2190-5444  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プロトタイプの準AlGaN障壁を有する横方向に配向した高電子移動度アバランシェ遷移時間(HEMATT)ダイオードを設計した。提案したHEMATTダイオードは,高出力THz ATTデバイスグループにおける最初のものである。前述の準AlGaN障壁はAlN/GaNの超微細エピ層から成り,バンドオフセットと分極場が周期的摂動をもたらす持続的準AlGaN材料と考えられる。二次元電子ガス(2DEG)輸送領域を有する2端子(2T)高電子移動度ATTデバイスを初めて紹介した。このような2DEGはAlGaNとGaN間のバンドオフセットをもたらす。さらに,提案したデバイスの横方向配向により,2DEGは輸送領域に沿っている。必要な電子閉じ込めを提供するために,電場板をカソード端子に取り付けた。これらの組み合わせ効果は,高電子移動度トランジスタ(HEMTs)と異なり,第三端子/ゲートの必要性を成功裏に排除する。そのような2DEG輸送領域における電子移動度Δσ(1600~2000)cm2/V-secは,通常のGaN 2DEG移動度λ>800cm2/V-secの2倍である。任意の2端子デバイスにおけるこのような高い電子移動度の影響は,研究グループによって調べられていない。これは,準AlGaN障壁によって与えられる極端な局在化から生じる優れた量子閉じ込めによるものである。提案したデバイスのオプトエレクトロニック性能を,実験観察によって検証して,社内歪補正混合量子トンネル掘削ドリフト(Sc-MQTDD)モデルの最新のバージョンを用いて分析した。モデルは,GaN/AlGaN超格子におけるキャリア生成-再結合,拡散,格子-フォノン相互作用,フォノン-散乱,フォノンボトルネック,分極効果を組み込んだ。この新しく提案した単一およびアレイ型ATTダイオードから,Till日,RF変換効率に対する最高報告DC,23%および27%およびRF出力,[数式:原文を参照]および[数式:原文を参照]を得た。さらに,UV領域および熱安定性問題における光-電気相互作用研究を,十分に扱った。UV応答性と量子効率は,[数式:原文を参照]アレイに対して,それぞれ0.7A/Wと80%であった。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Societa Italiana di Fisica and Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 超格子 ,  *キャリア移動度 ,  再結合 ,  *相互作用 ,  ダイオード ,  電場 ,  フォノン ,  分極 ,  ドリフト ,  *窒化ガリウム ,  ゲート【半導体】 ,  *HEMT ,  二次元電子ガス ,  バンドオフセット
準シソーラス用語： *電子移動度 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (11件)： バンド ,  エンジニアリング ,  AlGaN ,  GaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  発振器 ,  サブ ,  周波数領域 ,  光学 ,  相互作用 ,  研究