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J-GLOBAL ID:202202268392663417   整理番号:22A0611697

MAMRのための負のスピン分極三層STO

Negative Spin-Polarization Tri-Layer STO for MAMR
著者 (1件):
資料名:
巻: 46  号:ページ: 1-5(J-STAGE)  発行年: 2022年 
JST資料番号: U0776A  ISSN: 1882-2932  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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マイクロ波支援磁気記録(MAMR)では,大きなマイクロ波アシスト磁場(MA場)を得ることは依然として課題である。また,記録磁束制御の効果によってもたらされる静的ヘッド磁場利得(DC利得)を向上させることも容易ではない。本論文では,負のスピン分極材料で作られた三層のスピントルク発振器(STO)を提案し,従来の二重のSTOとMA磁場およびDC利得を比較した。この新しい設計により,電界発生層(FGL)がヘッド極との磁気-静的相互作用を克服するために,より強力なスピン移動トルクを容易に得ることができる。より低い注入電流でMA磁場を失うことなく,DC利得をうまく増加させることができる。しかし,注入電流が大きくなりすぎると,MA場が大きく減少するという問題が残る。(翻訳著者抄録)
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著者キーワード (14件):
分類 (2件):
分類
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電子・磁気・光学記録  ,  発振回路 
引用文献 (11件):
  • 1). J.-G. Zhu, X. Zhu, and Y. Tang: IEEE Trans. Magn., 44, 125 (2008)
  • 2). Y. Tang and J. G. Zhu: IEEE Trans. Magn., 44, 3376 (2008)
  • 3). I. Tagawa, M. Shiimoto, M. Matsubara, S. Nosaki, Y. Urakami and J. Aoyama: IEEE Trans. Magn., 52, 3101104, (2016)
  • 4). http://innovation.wdc.com/game-changers/why-mamr.html (2017)
  • 5). https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2021/02/storage-20210218-1.html (2021)
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