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J-GLOBAL ID：202202268567621434   整理番号：22A0565262

電界支援NEA AlGaNナノ多孔質アレイ光電陰極の増強光電子放出【JST・京大機械翻訳】

Enhanced photoemission of field-assisted NEA AlGaN nanoporous array photocathode

著者 (5件)： Liu Lei (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Zhangyang Xingyue (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Lv Zhisheng (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Lu Feifei (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China) ,  Tian Jian (Department of Optoelectronic Technology, School of Electronic and Optical Engineering, Nanjing University of Science and Technology, Nanjing 210094, China)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 277  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 紫外線検出器の利用の増加に伴い,効率的な太陽ブラインド検出性能を有する真空光電子発光素子を設計する需要が高まっている。光電子が一般ナノ多孔性アレイの隣接材料によって吸収される「二次吸収」の現象を軽減するために,電場支援AlGaNナノ多孔性アレイ光電陰極の理論的モデルを確立した。AlGaNナノポーラスのビルトイン電場は,トップ表面への光電子のドリフトを促進するために設計され,外部電場はアノードによって収集される電子の確率を増加させることが期待される。結果は,Al_0.47Ga_0.53N-Al_0.6Ga_0.4Nナノ多孔性アレイが280nmのカットオフ波長を持つことを示した。外部電場が0.2V/μmのとき,電場支援六角形配列AlGaNナノポーラスアレイの収集効率は0.452に達することができる。したがって,AlGaNナノポアアレイ光電陰極の外部電場を最適化することは光電陰極の光電子放出能力を最大化することができる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *光電子放出 ,  最適化 ,  太陽 ,  *電場 ,  波長 ,  紫外検出器 ,  *光電陰極 ,  *光電子 ,  アノード
準シソーラス用語： 理論モデル ,  内部電場 ,  ナノポーラス ,  発光素子 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  外部電場 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： AlGaN ,  ナノ多孔性 ,  太陽盲 ,  光陰極 ,  光電子放射

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (9件)： 電界 ,  支援 ,  NEA ,  AlGaN ,  ナノ多孔質 ,  アレイ ,  光電陰極 ,  増強 ,  光電子放出