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J-GLOBAL ID:202202268818894183   整理番号:22A0151465

時間制御光熱および光磁気パルスを用いた強磁性薄膜の全光スイッチングの数値研究【JST・京大機械翻訳】

Numerical study of all-optical switching of ferromagnetic thin film using temporally controlled optothermal and optomagnetic pulses
著者 (3件):
資料名:
巻: 150  ページ: Null  発行年: 2022年 
JST資料番号: A0602B  ISSN: 0143-8166  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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全光スイッチング(AOS)は,薄膜中の磁化状態の超高速制御を可能にし,磁気データ記録速度を数桁増加させる可能性がある。フェリ磁性材料におけるAOSの機構は,磁気円二色性と副格子間の角運動量移動を用いてうまく説明されてきたが,強磁性材料における観測されたAOSの機構は,まだ議論中である。1つの仮説は,逆Faraday効果によって励起された長い磁場の存在を弱めることによって,強磁性膜におけるAOSを説明する。理論計算は,スイッチング結果が冷却過程,特にCurie温度にわたって磁場に敏感であることを示唆した。しかし,光磁気励起は,同じパルスから生じ,光熱応答より速く減衰し,これは,典型的には,材料がCurie温度に達する前に,誘起磁場を消滅させる。ここでは,超高速光熱および光磁気応答を時間的および空間的に分離する二重パルスAOS方式を数値的に研究し,AOSを容易にするために誘起磁場のタイミング制御を可能にした。この二重パルススキームは,強磁性AOSプロセスに対する長い磁場の仮説を実験的に確認する指針となる。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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レーザの応用 

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