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J-GLOBAL ID：202202268862047103   整理番号：22A0917808

IOT応用において用いられる45nm CMOS技術を用いた高速センス増幅器のポストシミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Post Simulation of High Speed Sense Amplifiers using 45 nm CMOS Technology Used in IOT Application

著者 (2件)： Singh Thakurendra (G.L.A University,ECE Dept,Mathura,India) ,  Tomar V.K. (G.L.A University,ECE Dept,Mathura,India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： PARC  ページ： 1-6  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,45nm技術ノードを用いたメモリの新しいセンス増幅器成分の事後シミュレーションを紹介した。提案した設計を,歩調のvirtuoso EDAツールにおける物理的設計を通して行った。メモリチップ性能を決定するために,完全なメモリセルと結果を解析した。電流モード,電圧モード,および電荷移動型センス増幅器のような3種類のセンス増幅器を導入しながら,待ち時間の問題,電力消費を解いた。センシング技術はメモリシステム,CPU(中央処理ユニット),およびハイエンドサーバ,IOTアプリケーションにおいて非常に不可欠であり,新しいセンス増幅器(SA)が必要である。SRAMは,SRAM,DRAM,およびROM,PROM,およびセンス増幅器のような不揮発性メモリを含む,他のタイプのメモリを実行する。45nm CMOS技術を用いて,ユニークなセンス増幅器を有する6T SRAMセルを構築した。様々な種類のセンス増幅器のセンシング待ち時間と電力と領域を,より低い技術ノードで分析する。トランジスタサイジングの付与により,種々のセンス増幅器を解析し,そして,歩調のvirtuoso EDAツールを用いて検証した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  *シミュレーション ,  電荷移動 ,  電力 ,  電力消費 ,  記憶素子 ,  サイジング ,  応用プログラム ,  待ち時間 ,  不揮発性メモリ ,  *センス増幅器 ,  SRAM ,  DRAM ,  歩容 ,  *CMOS

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： IoT ,  応用 ,  CMOS技術 ,  センス増幅器 ,  シミュレーション