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J-GLOBAL ID:202202269043208783   整理番号:22A1850065

エレクトロニクス 金属酸化物ナノ薄膜分子センサを1チップに集積化したロバストな分子センサアレイの開発

著者 (6件):
資料名:
巻: 50  号:ページ: 47-49  発行年: 2022年07月15日 
JST資料番号: Y0873A  ISSN: 0911-2316  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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・高温下でも特性が劣化せずに分子の検出が可能な金属酸化物半導体の高密度集積と堅牢性の両立を実現した集積化の適したクロスバー電極構造に配置したセンサアレイの開発を紹介。
・本センサアレイでは,酸化スズ(SnO2)のナノスケール薄膜に対して基板と平行の方向に電流を流すセンサを半導体微細加工技術で作製し,格子状に電極を配置。
・本センサは従来の縦型チャネル構造の場合と比べてセンサの面積/体積比が大きくなり,かつセンサの電気抵抗を大きくできる特徴を有し,効率的な分子検出と多数センサの集積化を実現。
シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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固体デバイス製造技術一般  ,  分析機器 
引用文献 (4件):
  • H. Sonoda, S. Kohnoe, T. Yamazato, Y. Satoh, G. Morizono, K. Shikata, M. Morita, A. Watanabe, M. Morita, Y. Kakeji, F. Inoue, and Y. Maehara, Gut, 60, 814 (2011).
  • C. Jirayupat, K. Nagashima, T. Hosomi, T. Takahashi, B. Samransuksamer, Y. Hanai, A. Nakao, M. Nakatani, J. Liu, G. Zhang, W. Tanaka, M. Kanai, T. Yasui, Y. Baba, and T. Yanagida, Chem. Commun. 58, 6377 (2022).
  • H. Zeng, T. Takahashi, M. Kanai, G. Zhang, Y. He, K. Nagashima, and T. Yanagida, ACS Sens. 2, 1854 (2017).
  • H. Honda, T. Takahashi, Y. Shiiki, H. Zeng, K. Nakamura, S. Nagata, T. Hosomi, W. Tanaka, G. Zhang, M. Kanai, K. Nagashima, H. Ishikuro, and T. Yanagida, ACS Sens. 7, 460 (2022).

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