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J-GLOBAL ID：202202269149193705   整理番号：22A0912921

溶液処理銅ベースpチャネル薄膜トランジスタの最近の進歩【JST・京大機械翻訳】

Recent Progress of Solution-Processed Copper-based p-Channel Thin-Film Transistors

著者 (1件)： Al-Jawhari Hala A. (Department of Physics, King Abdulaziz University, Jeddah, 21551, Saudi Arabia)
資料名： Advanced Electronic Materials  (Advanced Electronic Materials)
巻： 8  号： 3  ページ： e2100893  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2482A  ISSN： 2199-160X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 良く成形したp型半導体の開発は,透明エレクトロニクスを次のフロンティアに押し込むのに不可欠である。酸化銅(Cu_xO)は,その天然のp型半導体,豊富なアベイラビリティ,非毒性性,および低い生産コストのため,そのような用途のための潜在的に魅力的な正孔輸送材料である。溶液ベースの加工法は,化学量論,微細構造,および形態発達に関する高レベルの制御,ならびに材料およびエンドユースアーキテクチャに関する大きな柔軟性を含む金属酸化物の作製のための多くの他の利点を提供する。本レビューは薄膜トランジスタ(TFTs)の目的のために溶液系Cu_xO薄膜の合成と堆積の最近の進歩をカバーする。低温法,ナノスケールパターニング,およびグリーン合成を利用するために,この分野で急速に成長する努力を示す。さらに,ハロゲン化物および(擬)ハライド材料のような非酸化物銅系半導体で作られた新しい溶液処理TFTsを議論した。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *薄膜 ,  半導体 ,  *溶液 ,  製造原価 ,  *処理 ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化銅 ,  アベイラビリティ ,  化学量論 ,  P型半導体 ,  電子技術 ,  計算機アーキテクチャ ,  パターン形成
準シソーラス用語： 正孔輸送 ,  ナノスケール ,  *溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ヨウ化銅 ,  酸化銅 ,  チオシアン酸銅 ,  P型無機半導体 ,  溶液処理薄膜トランジスタ

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶液処理 ,  銅 ,  チャネル ,  薄膜トランジスタ