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J-GLOBAL ID：202202269204263444   整理番号：22A0636385

新規黒ヒ素リンAs_0.25P_0.75/As_0.75P_0.25相の潜在的な顕著な物理的性質:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Potential outstanding physical properties of novel black arsenic phosphorus As_0.25P_0.75/As_0.75P_0.25 phases: a first-principles investigation

著者 (7件)： Liu Fangqi (Hubei Province Key Laboratory of Systems Science in Metallurgical Process, College of Science, The State Key Laboratory for Refractories and Metallurgy, Wuhan University of Science and Technology, Wuhan 430081, China. [e-mail]) ,  Zhang Xiaolin ,  Gong Pengwei ,  Wang Tongtong ,  Yao Kailun ,  Zhu Sicong ,  Lu Yan
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 12  号： 6  ページ： 3745-3754  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒色ヒ素リンAs_0.5P_0.5を電子およびオプトエレクトロニクス応用の優れた候補として研究した。同時に,他の組成を有するAs_xP_1-x合金の物理的性質は,調査されなかった。本研究では,分子動力学安定性を有する7つのAs_0.25P_0.75(P-IおよびP-II)/As_0.75P_0.25(As-(I,II,III,IVおよびV))相を設計した。第一原理計算を用いて,それらのキャリア移動度と同様に歪下の電子構造を研究した。Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)電子バンドを計算することにより,これらの材料がAs-IV相を除いて,黒リンに類似した直接ギャップ半導体であることを明らかにした。また,P-IとAs-V相のキャリア移動度は104cm2V-1s-1に達することが分かった。歪下のP-I,As-IVおよびAs-V相の電子構造を研究した。最後に,アームチェアとジグザグナノリボンに基づくカロリトロニクスデバイスを設計した。P-II相から作成したアームチェアとジグザグデバイスのSeebeck係数の値は300Kで2507と2005μWK-1と高かった。考慮したヒ素リン相の熱特性を,熱電性能指数ZT値を計算することによってさらに研究した。これらの値は,As-III相に基づくアームチェアデバイスで10.88,室温でAs-V相に基づくジグザグデバイスで4.59,600Kで15と7.16であった。得られた結果は,ここで研究したAs_0.25P_0.75/As_0.75P_0.25相が,熱電素子および電子素子応用の有力な候補とみなすことができることを実証した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  合金 ,  電子構造 ,  半導体 ,  *ヒ素 ,  *リン ,  計算 ,  熱電素子 ,  オプトエレクトロニクス ,  熱特性 ,  分子動力学 ,  黒リン
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  ナノリボン ,  電子素子 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 重金属とその化合物一般  (SB05021R) ,  植物に対する影響  (EE05030G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 黒 ,  ヒ素 ,  リン ,  物理的性質 ,  第一原理 ,  研究