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J-GLOBAL ID：202202269336713520   整理番号：22A0924581

シリコンヘテロ接合太陽電池用の酸化モリブデン/銀/モリブデン酸化物薄膜の多層エミッタ:デバイス製作と電気特性評価【JST・京大機械翻訳】

Multilayer emitter of molybdenum oxide/silver/molybdenum oxide thin films for silicon heterojunction solar cells: Device fabrication and electrical characterization

著者 (2件)： Makhlouf M.M. (Department of Science and Technology, Ranyah University College, Taif University, P.O. Box 11099, Taif 21944, Saudi Arabia) ,  Shehata M.M. (Department of Physics, Faculty of Science, Minia University, El Minya City 61519, Egypt)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 904  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 簡易ヘテロ接合結晶シリコン(c-Si)太陽電池において,酸化モリブデン/銀/酸化モリブデン(MoO_x/Ag/MoO_x)スタックを,よく知られたp型非晶質シリコン水素化(a-Si:H)層またはMoO_xの単層の代替法として研究した。MoO_x/Ag/MoO_x多層の光学特性を調べ,太陽電池前面に埋め込むための許容できる特徴を持つことを見出した。簡単な作製技術,熱蒸着を用いて,Al/Ag/MoO_x/n-Si/MoO_x/Mg/アールから成るデバイス構造を作製した。インピーダンス分光測定を実施し,Nyquistプロットは,周波数範囲(102Hz-106Hz)および異なる温度で単一半円を明らかにし,MoO_x/Ag/MoO_xとn-Si基板の間の接合の形成および前面/再電極に対する良好なオーム接触の確立を示した。さらに,容量-電圧特性を用いて,ビルトイン電位,ドーピング濃度,および空乏幅の温度依存性を決定した。電池の温度依存電流-電圧プロットは,順方向バイアス領域での支配的なキャリア輸送機構がV>0.35Vでのトラップ支援トンネリングと0.35~0.75Vでのe-h対再結合であることを示唆した。逆バイアス領域では,キャリア輸送は空間電荷領域における電流発生によって支配された。さらに,太陽電池の光起電力性能を照明下で測定した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  インピーダンス ,  再結合 ,  *太陽電池 ,  電圧 ,  *電池 ,  電流 ,  トンネル効果 ,  輸送現象 ,  *ケイ素 ,  水素化 ,  *酸化モリブデン ,  ドーピング ,  素子構造
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  逆バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： シリコンヘテロ接合太陽電池 ,  透明正孔選択接触 ,  MoO_x/Ag/MoO_xスタック ,  輸送機構 ,  インピーダンス分光法 ,  デバイス性能

分類 (3件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  酸化物結晶の磁性  (BM06050E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (11件)： シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  酸化モリブデン ,  銀 ,  モリブデン ,  酸化物薄膜 ,  多層 ,  エミッタ ,  製作 ,  電気特性 ,  評価