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J-GLOBAL ID:202202269347533829   整理番号:22A0696273

大型ヘリカル装置導体における片側垂直ゾーン伝搬の数値シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Numerical Simulation of One-Sided Normal Zone Propagation in Large Helical Device Conductors
著者 (1件):
資料名:
巻: 32  号:ページ: ROMBUNNO.4200305.1-5  発行年: 2022年 
JST資料番号: W0177A  ISSN: 1051-8223  CODEN: ITASE9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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核融合科学研究所(NIFS)における大型ヘリカル装置(LHD)は核融合のための世界最大のヘリオトロン型超伝導磁気デバイスである。LHD実験の開始時に,通常のゾーンの有限長が片側に伝搬する現象が,定格動作点以下の領域で観察された。LHD導体はNbTi/CuRutherford導体,純アルミニウム安定剤,および銅シースから成る。アルミニウム安定化導体はその断面に流れるHall電流により異常な磁気抵抗を示すことが知られている。片側伝搬現象をシミュレートするために,Hall効果を考慮して急冷シミュレーションを行った。Rutherford導体からアルミニウム安定剤への電流移動長さと垂直ゾーンの左前面と右前面の間の銅シースに差が観察され,通常の遷移直後のRutherford導体のJoule熱は非対称であった。He II冷却(2K)と6Tの磁束密度の下で,片側伝搬現象を15≦σ17kAの輸送電流範囲で数値的にシミュレートした。これらの結果は実験結果と良く一致した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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音響信号処理 

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