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J-GLOBAL ID：202202269552605738   整理番号：22A0909042

傾斜異方性を持つL_1_0-FePt単層における無磁場スピン-軌道トルクスイッチング【JST・京大機械翻訳】

Field-free spin-orbit torque switching in L1₀-FePt single layer with tilted anisotropy

著者 (9件)： Tao Ying (School of Automation, China University of Geosciences, Wuhan 430074, China) ,  Sun Chao (School of Automation, China University of Geosciences, Wuhan 430074, China) ,  Li Wendi (School of Automation, China University of Geosciences, Wuhan 430074, China) ,  Yang Liu (School of Automation, China University of Geosciences, Wuhan 430074, China) ,  Jin Fang (School of Automation, China University of Geosciences, Wuhan 430074, China) ,  Hui Yajuan (School of Automation, China University of Geosciences, Wuhan 430074, China) ,  Li Huihui (Changxin Memory Technologies, Inc., Hefei 230601, China) ,  Wang Xiaoguang (Changxin Memory Technologies, Inc., Hefei 230601, China) ,  Dong Kaifeng (School of Automation, China University of Geosciences, Wuhan 430074, China)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 120  号： 10  ページ： 102405-102405-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 実世界応用では,高垂直磁気異方性(PMA)を有する薄膜における無磁場スピン軌道トルク(SOT)スイッチングの実現が望ましい。本論文では,26%の大きなスイッチング比を有するL1_0-FePt単層における無電界SOTスイッチングを,MgO<100>8°/<100>ミスカット基板を用いて求めた。フィールドフリースイッチングは課せられたパルス電流の方向に依存することを見出した。電流がy(010)方向に沿うが,x(100)方向に沿ってではなく,磁場フリースイッチングが発生し,これはx-z面での傾斜PMA誘起対称性破壊に起因する。さらに,フィールドフリー条件下で,著者らのFePt単層システムは,安定なマルチ状態磁気スイッチング挙動と非線形シナプス特性を示す。本研究は,L1_0-FePt単層における無電界SOTスイッチングを実現する方法を開き,スピンメモリデバイスとシナプスエレクトロニクスに大きな影響を与える。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 異方性 ,  記憶装置 ,  基板 ,  *磁場 ,  スイッチング ,  対称性 ,  電流 ,  薄膜 ,  酸化マグネシウム ,  シナプス ,  電子技術 ,  単一層 ,  垂直磁気異方性
準シソーラス用語： パルス電流 ,  磁気スイッチング , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 金属の磁区及び磁化過程  (BM06112D)

タイトルに関連する用語 (5件)： 異方性 ,  単層 ,  磁場 ,  スピン-軌道トルク ,  スイッチング