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J-GLOBAL ID：202202269604505756   整理番号：22A0395975

有機薄膜トランジスタ用のシリコンフタロシアニン誘導体の加工多様性のハイライト【JST・京大機械翻訳】

Highlighting the processing versatility of a silicon phthalocyanine derivative for organic thin-film transistors

著者 (10件)： Cranston Rosemary R. (Department of Chemical and Biological Engineering, University of Ottawa, 161 Louis Pasteur, Ottawa, ON K1N 6N5, Canada. [e-mail]) ,  King Benjamin ,  Dindault Chloe ,  Grant Trevor M. ,  Rice Nicole A. ,  Tonnele Claire ,  Muccioli Luca ,  Castet Frederic ,  Swaraj Sufal ,  Lessard Benoit H.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 10  号： 2  ページ： 485-495  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンフタロシアニン(SiPc)誘導体は,軸方向官能化により固体状態または溶液プロセスのいずれかで作製できるn型有機薄膜トランジスタ(OTFT)の有望な材料として最近浮上している。これらの中で,ビス(トリ-n-プロピルシリルオキシド)SiPc((3PS)_2-SiPc)は,昇華によって加工できるので,溶液処理に十分可溶性である。本研究では,物理蒸着(PVD)とスピンコーティングにより作製したn型OTFTsにおける(3PS)_2-SiPcのキャラクタリゼーションと共に,(3PS)_2-SiPcとその多形体の電荷輸送特性を,速度論的モンテカルロ(KMC)シミュレーションと密度汎関数理論(DFT)計算により研究した。X線回折(XRD),原子間力顕微鏡(AFM)および走査型透過X線顕微鏡(STXM)による堆積後薄膜キャラクタリゼーションを用いて,OTFTの電気的性能に関して膜形態および微細構造を評価した。PVDと溶液作製による膜形成の違いは,それぞれ0.01~0.04cm2V-1s-1と18~36Vの範囲の同等の電界効果移動度と閾値電圧でOTFT性能にほとんど影響しなかった。異なる作製条件で達成した(3PS)_2-SiPc OTFTの一貫した電荷輸送特性は,この材料の処理汎用性を強調した。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： モンテカルロ法 ,  X線回折 ,  シミュレーション ,  *薄膜 ,  *ケイ素 ,  固相 ,  密度汎関数法 ,  官能化 ,  物理蒸着 ,  原子間力顕微鏡 ,  スピンコーティング
準シソーラス用語： 電荷輸送 ,  *有機薄膜トランジスタ ,  閾値電圧 ,  溶液処理 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 有機薄膜トランジスタ ,  シリコン ,  フタロシアニン誘導体 ,  多様性 ,  ハイライト