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J-GLOBAL ID：202202269650558916   整理番号：22A1047561

Pb層とSi(111)との間にサンドイッチした穴あきMgシートを組み込んだ2Dシステム【JST・京大機械翻訳】

2D system incorporating perforated Mg sheet sandwiched between Pb layer and Si(111)

著者 (13件)： Tupchaya A.Y. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Bondarenko L.V. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Yakovlev A.A. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Vekovshinin Y.E. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Mihalyuk A.N. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Mihalyuk A.N. (Institute of High Technologies and Advanced Materials, Far Eastern Federal University, 690950 Vladivostok, Russia) ,  Gruznev D.V. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Denisov N.S. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Matetskiy A.V. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Aladyshkin A.Yu. (Institute for Physics of Microstructures RAS, 603950 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Aladyshkin A.Yu. (Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, 603022 Nizhny Novgorod, Russia) ,  Zotov A.V. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 690041 Vladivostok, Russia) ,  Saranin A.A. (Institute of Automation and Control Processes FEB RAS, 690041 Vladivostok, Russia)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 589  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pb原子層とSi(111)基板の間に挟まれたMgネットワークから成る新しい(6×6)周期的2D化合物層を合成し,特性化した。角度分解光電子分光法は,Pb/Si(111)系に対して典型的なものと電子構造の密接な類似性を明らかにした。Mgインターカレーションの結果として,0.45eVバンド曲げが,Mg(原子当たり1.27電子)からの電子ドーピングにより起こる。電子-フォノン結合定数λは,寿命広がりの温度依存ARPES測定から誘導されるように,元のPb/Si(111)単分子層(0.58±0.1)と比較して,2.54±0.1倍増強された。4点プローブ輸送測定は,磁場の存在で消失した表面抵抗の急激な減少を明らかにした。これは超伝導相転移の兆候である。ゼロ抵抗状態を観測できなかったので,Tcを直接測定するために,Aslamazov-Larkin補正を用いて,可能な超伝導臨界温度T_c=1.15Kを推定した。この値は,元のPb/Si(111)系の場合,1.1Kに近かった。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 磁場 ,  相転移 ,  超伝導 ,  電子構造 ,  フォノン ,  *鉛 ,  ネットワーク ,  *マグネシウム ,  単分子層 ,  温度依存性 ,  *二次元 ,  結合定数 ,  インターカレーション
準シソーラス用語： 電子ドーピング ,  超伝導転移温度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： マグネシウム ,  鉛 ,  Si(111) ,  2D化合物 ,  二重層 ,  Electron-フォノン結合定数 ,  2D超伝導

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  サンドイッチ ,  穴あき ,  Mg ,  2D