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J-GLOBAL ID：202202269723895459   整理番号：22A1083083

Cs_3Sb光電陰極放出性能に及ぼすナノ材料の影響【JST・京大機械翻訳】

Effects of nanomaterials on Cs₃Sb photocathode emission performance

著者 (5件)： Liu Yanwen (Aerospace Information Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Tian Hong (Aerospace Information Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Li Fen (Aerospace Information Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Wang Guojian (Aerospace Information Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Wang Xiaoxia (Aerospace Information Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 12  号： 3  ページ： 035004-035004-8  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セシウムアンチモン化物光カソードを調製するための新しいアプローチを開発した。従来のニッケル管の代わりにタングステンスポンジ拡散障壁層を蒸発源として用い,その方向と量が十分に制御できる光発光材料の低速で均一な蒸発を実現した。次に,カソード基板表面をナノ粒子層で修飾し,良好な光発光材料吸着とより高い光吸収をもたらした。光発光材料の拡散に対する障壁層として働くタングステンスポンジを処理する新しい技術を研究した。タングステン-銅合金を真空容器中で直接高周波加熱し,合金中の銅は急速に蒸発し,滑らかで輝いたタングステンスポンジをもたらした。タングステン-銅合金中の銅が化学的に除去されたタングステンスポンジを作製する従来法と比較して,新しい方法は銅をより完全に除去し,時間が少なく,汚染が少なかった。直流磁気スパッタリングによって,50nm直径のオスミウムナノ粒子の層を光電陰極基板表面に堆積した。次に,小さなチタンイオンポンプを備えた光電陰極放出試験用のダイオード管を,その圧力が5×10-8Paと低かった。比較発光性能試験をオスミウム膜で覆われた基板表面とオスミウムナノ粒子で覆われた基板との光カソードで行った。2つの光電陰極からの安定な光電子放出の最高量子効率は,それぞれ1.80×10-3と5.13×10-3であった。さらに,オスミウムナノ粒子被覆光電陰極の光吸収率はオスミウム膜被覆光電陰極の2.16倍であり,前者の量子効率は後者の2.85倍であった。したがって,オスミウムナノ粒子被覆光電陰極の量子効率の改善は,主に光吸収率の増加に起因する。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸着 ,  ダイオード ,  光吸収 ,  オスミウム ,  タングステン ,  銅 ,  ニッケル ,  銅合金 ,  被覆 ,  直流 ,  *光電陰極 ,  カソード ,  ナノ粒子 ,  *ナノ材料
準シソーラス用語： スポンジ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  金属薄膜  (BK14030T)

タイトルに関連する用語 (3件)： 光電陰極 ,  放出 ,  ナノ材料