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J-GLOBAL ID：202202269793494957   整理番号：22A0845298

熱電性能強化のためのP3HT/絶縁ポリマ-CNT/P3HTの合理的三成分設計【JST・京大機械翻訳】

A Rational Ternary Design of P3HT/Insulating Polymers-CNTs/P3HT for the Enhanced Thermoelectric Performances

著者 (2件)： Tonga Murat (Department of Chemistry, University of Massachusetts, Amherst, MA USA) ,  Tonga Murat (Present Address: Polnox Corporation Lowell, MA USA)
資料名： Composite Interfaces  (Composite Interfaces)
巻： 29  号： 2  ページ： 197-213  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1962A  ISSN： 0927-6440  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究は,半導体高分子P3HT,絶縁ポリマー,およびカーボンナノチューブに基づく3層熱電複合材料の設計および開発を示した。三元層複合膜を,直接ドロップキャスト蒸着によって調製した。この設計は,半導体高分子P3HTの2層の間の絶縁高分子-CNT層のサンドイッチから成る。絶縁性ポリマーとCNTs(SWNT対MWNT)のタイプとドーピングを含むさまざまな特徴を最適化することによって,系統的な調査を採用した。ドープ三元複合材料の電気伝導率は265Scm-1まで改善され,Seebeck係数に最小損失があり,ΔΔ30μWm-1K-2までの出力因子(PF)をもたらすが,単層ドープP3HTの電気伝導率は,室温で7.6μWm-1K-2のPFで39.1Scm-1であった。TE特性の向上は,高分子鎖の再配列と逐次層堆積中の界面でのより多くの接合の生成による層間のより効率的な電荷輸送の形成に起因する。結果はまた,この方法が本質的にp型P3HTからn型材料を与え,ドーピング後にp型にスイッチすることを明らかにする。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  最適化 ,  *重合体 ,  電気伝導率 ,  複合材料 ,  高分子鎖 ,  高分子 ,  ドーピング ,  蒸着 ,  高分子半導体 ,  複合膜 ,  カーボンナノチューブ
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  電荷輸送 ,  再配列 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： P3HT ,  三元複合材料 ,  カーボンナノチューブ ,  絶縁性高分子

分類 (1件)： 機械的性質  (YH02022L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 強化 ,  P3HT ,  絶縁 ,  ポリマ ,  CNT ,  設計