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J-GLOBAL ID：202202269854931626   整理番号：22A1165227

新興デバイスのためのMottスイッチングシステムにおける発散有効質量の同定【JST・京大機械翻訳】

Identifying diverging-effective mass in Mott switching systems for emerging devices

著者 (1件)： Kim Hyun-Tak (Semiconductor Materials Components Equipment Technology Center, Electronics and Telecommunications Research Institute,Daejeon,Republic of Korea)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： ICEIC  ページ： 1-2  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 神経形態デバイスや量子ビットのような新しいデバイスはMott転移現象を利用するが,特に現象の発散機構は明らかにされていない。Mott絶縁体近傍の発散有効質量(DEM)をフェルミオンHe3とSi金属-オキシド-半導体場効果トランジスタの強い相関Mott系で測定し,κ_BR≒1(≠1),0<U/U_c=κ_BRρ2<1,相関強度がκ_BR,バンド充填がρである場合,有効質量m*/m*/1[1-(U/U_C)2]=1/(1-d_BRρ4)に近似した。その同定はBrinkman-Rice画像における一定質量のパーコレーションである。κ_BR=0.96以上を評価した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： トランジスタ ,  半導体 ,  酸化物 ,  フェルミオン ,  Mott転移 ,  *有効質量 ,  パーコレーション
準シソーラス用語： Mott-Hubbard絶縁体 ,  量子ビット , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： スイッチングシステム ,  発散 ,  有効質量 ,  同定