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J-GLOBAL ID：202202270482176930   整理番号：22A0004341

第一原理研究からの光起電力デバイス応用のためのJanusIn_2SeTe【JST・京大機械翻訳】

Janus In₂SeTe for photovoltaic device applications from first-principles study

著者 (11件)： Zhao Huiqin (School of Science, Jiangsu Provincial Research Center of Light Industrial Optoelectronic Engineering and Technology, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Gu Yan (School of Science, Jiangsu Provincial Research Center of Light Industrial Optoelectronic Engineering and Technology, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Lu Naiyan (The Key Laboratory of Synthetic and Biological Colloids, Ministry of Education, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Liu Yushen (School of Electronic and Information Engineering, Suzhou Key Laboratory of Advanced Lighting and Display Technologies, Changshu Institute of Technology, Changshu 215556, China) ,  Ding Yu (School of Science, Jiangsu Provincial Research Center of Light Industrial Optoelectronic Engineering and Technology, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Ye Bingjie (School of Science, Jiangsu Provincial Research Center of Light Industrial Optoelectronic Engineering and Technology, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Huo Xinxia (School of Science, Jiangsu Provincial Research Center of Light Industrial Optoelectronic Engineering and Technology, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Bian Baoan (School of Science, Jiangsu Provincial Research Center of Light Industrial Optoelectronic Engineering and Technology, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Wei Chunlei (Lumisource Technologies Co., Ltd., Wuxi 214192, China) ,  Zhang Xiumei (School of Science, Jiangsu Provincial Research Center of Light Industrial Optoelectronic Engineering and Technology, Jiangnan University, Wuxi 214122, China) ,  Yang Guofeng (School of Science, Jiangsu Provincial Research Center of Light Industrial Optoelectronic Engineering and Technology, Jiangnan University, Wuxi 214122, China)
資料名： Chemical Physics  (Chemical Physics)
巻： 553  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0167B  ISSN： 0301-0104  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,JanusIn_2SeTeの電子および光学特性と,第一原理計算による光電子および光起電力デバイスへのその応用の可能性を系統的に研究した。JanusIn_2SeTe単分子層は,PBEレベルで1.18eVの直接バンドギャップ,可視光領域で光を捕獲するかなりの能力,および105cm-1までの光吸収係数を有した。構造を示すIn_2SeTe単分子層の両側の原子の異なる電気陰性度は,垂直固有電場を有することが分かった。さらに,数層の積層JanusIn_2SeTeを有する太陽電池構造を提案し,その光起電力性能を探究した。In_2SeTe太陽電池の光電流と電力変換効率を計算した。結果は,In_2SeTe太陽電池の光電流が薄膜シリコンデバイスに匹敵することを示した。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 光学的性質 ,  *光起電力 ,  光電流 ,  太陽電池 ,  電場 ,  薄膜 ,  単分子層 ,  電気陰性度 ,  *光起電素子 ,  光電子
準シソーラス用語： 可視領域 ,  吸光係数 ,  第一原理計算 ,  電力変換効率 ,  直接バンドギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (1件)： JanusIn_2SeTe

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： 第一原理 ,  研究 ,  光起電力デバイス ,  応用