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J-GLOBAL ID:202202270669297983   整理番号:22A0894985

グラフェン系SiC Van der Waalsヘテロ構造:非平衡分子動力学シミュレーション研究【JST・京大機械翻訳】

Graphene-based SiC Van der Waals heterostructures: nonequilibrium molecular dynamics simulation study
著者 (9件):
資料名:
巻: 28  号:ページ: 88  発行年: 2022年 
JST資料番号: W4628A  ISSN: 1610-2940  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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グラフェン系SiCヘテロ構造の構造特性と熱伝導率を逆非平衡分子動力学を用いて調べた。C/SiC/Cヘテロ構造は層間のvdW相互作用の影響により凝集エネルギーの最大値を有した。ヘテロ構造の表面は,T=400K付近で観測された平面変動の直接の結果としてリップルを始める。室温での熱伝導率を決定した。長さとアームチェアとジグザグの方位は,温度の上昇と共に減少するκの大きさを増加させる。この変化はフォノンUmklapp散乱とフォノン交差面結合に起因した。2%までの濃度範囲における点空孔,二空孔およびエッジ空格子点の影響も検討した。空孔の周りの低周波フォノンの局在化は熱伝導率の減衰特性を誘起する。この効果は空孔のタイプに依存し,点空孔を有するヘテロ構造でより顕著であった。本結果は,調整可能な機能性を有する種々の熱電応用に対して,純粋で欠陥のあるヘテロ構造を有望な材料にする。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer-Verlag GmbH Germany, part of Springer Nature 2022 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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比熱・熱伝導一般 

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