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J-GLOBAL ID：202202270786624531   整理番号：22A0695812

5G mmWビーム成形システムのための40nm CMOSにおける広帯域再構成可能電力分配器/結合器【JST・京大機械翻訳】

Wideband Reconfigurable Power Divider/Combiner in 40-nm CMOS for 5G mmW Beamforming System

著者 (3件)： Chang Yu-Teng (Graduate Institute of Communication Engineering and the Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Lin Kun-You (Graduate Institute of Communication Engineering and the Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan) ,  Wu Tzong-Lin (Graduate Institute of Communication Engineering and the Department of Electrical Engineering, National Taiwan University, Taipei, Taiwan)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 70  号： 2  ページ： 1410-1422  発行年： 2022年 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 5世代(5G)ミリ波(mmW)ビーム成形システム用の40nmCMOSにおいて,パッシブでアクティブな広帯域再構成可能電力分割器(PD)/パワーコンバイン(PC)を提案し,実現した。従来のWilkinson PD/PCに基づいて,合成二段LCラダーを用いて,ダイ面積を節約し,受動PD/PCのための広帯域設計を達成するために,四分の一波長伝送線を置換した。さらに,単一極二重列(SPDT)スイッチ機能を加えて,再構成可能機能を実現した。PDモードでは,測定した|S_21|は28/38GHzで-4.76/-4.53dBであり,3dB帯域幅(BW)は22.28GHzであった。スイッチモードにおいて,測定した|S_21|は,28/38GHzで-1.83/-2.10dBであり,3-dBBWは26.93GHzであった。他の再構成可能PD/PCおよびオンチップPDと比較して,提案した受動PD/PCは,最も広い3dBのBWおよびコンパクトな領域を示した。さらに,アクティブ再構成可能PD/PCを提案した。修正分散増幅器(DA)アーキテクチャに基づく双方向増幅器(BDAs)は,受動素子の損失を補償する。磁気結合共振器(MCR)回路と等価なT型ネットワークインダクタは,終端抵抗器上の余分なdc散逸を避けるため,人工伝送線路を置き換える。スイッチの制御によって,再構成可能機能と双方向性機構を実行することができた。他のアクティブ再構成可能PD/PCと比較して,提案したPD/PCは,コンパクトなダイ面積を持つ広いBW,低いdc電力を示した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 増幅器 ,  *電力 ,  抵抗器 ,  *結合器 ,  磁気 ,  伝送線路 ,  回路部品 ,  EHF波 ,  *広帯域 ,  *パワーデバイダ ,  計算機アーキテクチャ ,  *ビーム成形 ,  *CMOS
準シソーラス用語： オンチップ ,  受動素子 ,  *再構成可能性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  無線通信一般  (ND08010L)

タイトルに関連する用語 (7件)： 5G ,  ビーム成形 ,  CMOS ,  広帯域 ,  再構成可能 ,  電力分配器 ,  結合器