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J-GLOBAL ID：202202270817670636   整理番号：22A0706280

ガスセンシング応用のための純粋および遷移金属ドープGeSe単分子層上への小分子吸着の理論的研究【JST・京大機械翻訳】

Theoretical Study of Small Molecules Adsorption on Pristine and Transition Metal Doped GeSe Monolayer for Gas Sensing Application

著者 (5件)： Zhang Tingting (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, China) ,  Pan Wenfeng (College of Basic Sciences, Zhengzhou University of Technology, China) ,  Zhang Ziye (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, China) ,  Qi Ning (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, China) ,  Chen Zhiquan (Hubei Nuclear Solid Physics Key Laboratory, Department of Physics, Wuhan University, China)
資料名： Langmuir  (Langmuir)
巻： 38  号： 3  ページ： 1287-1295  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0231B  ISSN： 0743-7463  CODEN： LANGD5  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理計算を用いて,小さなガス分子(H_2,NH_3,CO,O_2,SO_2,NO,およびNO_2)に対する,純粋および遷移金属(TM)原子(Ti,V,およびCo)埋込セレン化ゲルマニウム(GeSe)単分子層のセンシング特性を調べた。吸着システムの吸着エネルギー,電子構造,光学的性質,回復時間を計算し,詳細に分析した。その結果,TMドープGeSeは,元のGeSe単層と比較して,ガス分子と強い相互作用を有することが分かった。特に,Ti-およびV-GeSe単分子層に対して,吸着エネルギーの絶対値は,O_2,NOおよびNO_2に対して最大2eVであった。TM原子によるドーピングも,吸着系の電荷移動と電子構造を変化させる。計算した光学特性と回復時間との組み合わせで,Ti-GeSe単分子層はNH_3検出に大きな可能性を有するが,Co-GeSe単分子層は非常に有望なSO_2ガスセンサであると結論できる。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *吸着 ,  原子 ,  光学的性質 ,  強い相互作用 ,  電荷移動 ,  電子構造 ,  *単分子層 ,  *ドーピング ,  吸着装置 ,  絶対値 ,  吸着エネルギー
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  セレン化ゲルマニウム ,  *分子吸着 ,  気体分子 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 物理的手法を用いた吸着の研究  (CB12043P) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (8件)： センシング ,  応用 ,  遷移金属 ,  ドープ ,  単分子層 ,  分子吸着 ,  理論 ,  研究