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J-GLOBAL ID：202202270880532452   整理番号：22A1083081

SiドーピングによるSb_2Te_3膜の相変化挙動改善:高温でのRaman散乱の証拠【JST・京大機械翻訳】

Phase change behavior improvement of Sb₂Te₃ films by Si doping: Raman scattering evidence at elevated temperatures

著者 (5件)： Guo Shuang (School of Information Engineering, Nanyang Institute of Technology, Nanyang 473004, China) ,  Wang Yunfeng (School of Information Engineering, Nanyang Institute of Technology, Nanyang 473004, China) ,  Zhang Xiaolong (School of Information Engineering, Nanyang Institute of Technology, Nanyang 473004, China) ,  Wang Bao (School of Information Engineering, Nanyang Institute of Technology, Nanyang 473004, China) ,  Hu Zhigao (Technical Center for Multifunctional Magneto-Optical Spectroscopy (Shanghai), Engineering Research Center of Nanophotonics and Advanced Instrument (Ministry of Education), Department of Materials, School of Physics and Electronic Science, East China Normal University, Shanghai 200241, Chi...)
資料名： AIP Advances (Web)  (AIP Advances (Web))
巻： 12  号： 3  ページ： 035002-035002-5  発行年： 2022年 
JST資料番号： U7121A  ISSN： 2158-3226  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン(Si)ドープSb_2Te_3(SST)膜の動的結晶化プロセスを温度(210-620K)とSi濃度(0%~12%)の関数として温度依存Raman散乱により調べた。試料に対する温度上昇に伴う元のRamanスペクトルおよび表面形態の変化に基づいて,中間遷移状態に対する温度範囲は,それぞれSST7%,SST9%およびSST12%膜に対応する160,120および80Kであると結論できた。この現象はまた,Ramanフォノンモードに由来する菱面体晶相の割合の熱発展によってまとめることができる。Si導入は非晶質膜の結晶化を抑制し,結晶化温度を増加させ,中間遷移状態の結晶化過程を加速することを示した。Siドーピングによる相変化挙動改善は,光学展望からのSSTベースデータ貯蔵装置の非晶質熱安定性と耐久性に関するさらなる研究にとって非常に重要である。Copyright 2022 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Raman散乱 ,  Ramanスペクトル ,  結晶化 ,  *高温 ,  *相転移 ,  表面構造 ,  *ケイ素 ,  温度依存性 ,  非晶質 ,  *ドーピング ,  晶出温度 ,  三方晶系 ,  昇温 ,  モルフォロジー
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  表面形態 ,  フォノンモード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固相転移  (BL04020G)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ドーピング ,  相変化 ,  挙動 ,  Raman散乱 ,  証拠