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J-GLOBAL ID：202202270930772571   整理番号：22A0630331

スケール化ZnO積層ナノシートチャネル三元電界効果トランジスタの性能評価【JST・京大機械翻訳】

Performance Evaluation of Scaled ZnO Stacked Nanosheet Channel Ternary Field Effect Transistor

著者 (9件)： Lee Ho-In (Department of Electrical Engineering, Center for Semiconductor Technology Convergence (CSTC), Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Nam-gu, Pohang, Republic of Korea) ,  Kim So-Young (Department of Electrical Engineering, Center for Semiconductor Technology Convergence (CSTC), Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Nam-gu, Pohang, Republic of Korea) ,  Kim Seung-Mo (Department of Electrical Engineering, Center for Semiconductor Technology Convergence (CSTC), Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Nam-gu, Pohang, Republic of Korea) ,  Lee Yongsu (Department of Electrical Engineering, Center for Semiconductor Technology Convergence (CSTC), Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Nam-gu, Pohang, Republic of Korea) ,  Lee Hae-Won (Department of Electrical Engineering, Center for Semiconductor Technology Convergence (CSTC), Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Nam-gu, Pohang, Republic of Korea) ,  Yu Sung Ho (Department of Chemistry, Hanyang University, Seongdong-gu, Republic of Korea) ,  Hwang Hyeon Jun (Department of Electrical Engineering, Center for Semiconductor Technology Convergence (CSTC), Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Nam-gu, Pohang, Republic of Korea) ,  Sung Myung Mo (Department of Chemistry, Hanyang University, Seongdong-gu, Republic of Korea) ,  Lee Byoung Hun (Department of Electrical Engineering, Center for Semiconductor Technology Convergence (CSTC), Pohang University of Science and Technology (POSTECH), Nam-gu, Pohang, Republic of Korea)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 2  ページ： 323-326  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三元論理デバイス技術は,それらの二成分対応物と比較して,低い電力消費,より小さなデバイス数,より小さな面積,およびより高いデータ処理密度のような潜在的利点のために活発に研究されている。本研究では,ZnO積層ナノシートチャネル三元電界効果トランジスタのスケーリング展望を研究した。ゲート誘電体厚さ,チャネル長,ソース/ドレイン電荷注入面積のようなスケーリング幾何学的パラメータの利点を調べた。中間状態の90%低い電力消費を,他の新しい三元論理デバイスと比較して,130mVの雑音マージンでV_dd=1Vで達成した。安定な三元回路動作の実現可能性も確認した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  中間状態 ,  電力消費 ,  *FET【トランジスタ】 ,  論理素子 ,  *酸化亜鉛 ,  長さ ,  データ処理 ,  キャリア注入 ,  スケーリング【計数】 ,  性能評価 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： チャネル長 ,  幾何学的パラメータ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： スケール ,  ZnO ,  ナノシート ,  チャネル ,  電界効果トランジスタ ,  性能評価