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J-GLOBAL ID:202202270994096898   整理番号:22A0395997

強誘電体-常誘電相転移下のCuInP_2S_6結晶の温度可変光学特性とキャリア緩和【JST・京大機械翻訳】

Temperature-tunable optical properties and carrier relaxation of CuInP2S6 crystals under ferroelectric-paraelectric phase transition
著者 (12件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 696-706  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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調整可能な光学特性はオプトエレクトロニックデバイスの機能性を拡大でき,従って,調整可能な光学特性を有する材料を探索することは高性能オプトエレクトロニックデバイスの開発にとって重要である。CuInP_2S_6(CIPS)はCurie温度315Kの強誘電体層状材料である。低い相転移温度は,温度制御によるデバイス応用のためのCIPSの光学的性質を簡便に調節する可能性を提供する。ここでは,強誘電性-常誘電相転移下でのCIPSの温度可変光ルミネセンス(PL)と超高速非線形吸収を研究し,光励起キャリア緩和過程からの温度依存性機構を明らかにした。欠陥状態から約592nmの広帯域PL発光と800nmでの顕著な二光子吸収を観測し,時間分解PLと過渡吸収分光法は,キャリア緩和過程が,高速バンド内散乱,バンド間非放射再結合,伝導バンド最小から欠陥バンドへの電荷移動,およびその後の急速な欠陥バンド緩和と遅い欠陥状態支援再結合から成ることを示した。温度が上昇すると,PL発光強度と励起効率は欠陥状態の非放射再結合の増大により著しく減少する。一方,フォノン散乱は非放射再結合プロセスを増強するが,二光子吸収係数は増加し,キャリア緩和時間は変化しない。著者らの知見は,相転移の下でのCIPS光学応答の温度挙動を明らかにし,CIPSベースの温度可変オプトエレクトロニックデバイスを設計するための道を開く。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (3件):
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塩  ,  その他の無機化合物の薄膜  ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般 

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