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J-GLOBAL ID：202202271313697230   整理番号：22A2386848

半導体リソグラフィー用EUV-BEUV光源のイオンデブリの価数分離エネルギースペクトル

Charge-separated ionic debris spectra in EUV-BEUV sources for semiconductor lithography

著者 (10件)： 東口武史 (宇都宮大 工) ,  中山勇冬 (宇都宮大 工) ,  新沼大登 (宇都宮大 工) ,  久米真樹 (宇都宮大 工) ,  杉浦使 (宇都宮大 工) ,  森田大樹 (宇都宮大 工) ,  富田健太郎 (北大 大学院工学研究院) ,  砂原淳 (Purdue Univ., IN) ,  難波慎一 (広島大 大学院先進理工系科学研究科) ,  江島丈雄 (東北大 国際放射光イノベーション・スマート研究セ)
資料名： レーザー学会研究会報告  (Reports on Topical Meeting of the Laser Society of Japan)
巻： 567th  ページ： 11-16  発行年： 2022年 
JST資料番号： L3352A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： レーザ生成プラズマの極端紫外線(EUV)光源からの電荷分離エネルギースペクトルについて報告した。13.5nmのEUV源において,1μmのレーザ波長では,最適レーザ強度2×10¹¹W/cm²の下で,電荷状態は11個あることが観測された。レーザ強度のスケーリングも示した。また,6.7nmのEUV(BEUV)リソグラフィー用のレーザ生成GdプラズマからGdイオンを観測した。最大エネルギーは2×10¹²W/cm²の最適レーザ強度ではGd¹⁰⁺イオンで14.6keVであった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *リソグラフィー ,  半導体 ,  *光源 ,  極端紫外線 ,  原子価 ,  イオン ,  エネルギー分布 ,  *レーザプラズマ ,  電荷分離 ,  ガドリニウム
準シソーラス用語： *EUV-BEUV光源 ,  レーザ強度 ,  荷電状態 ,  *半導体リソグラフィー

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  プラズマ中の電磁波  (BJ02032F)

引用文献 (15件)：

• https://iphone-maniajp/news-443965/
• M. Neisser and H. J. Levinson, Proc. SPIE 11323, 113231N (2020).
• R. Amano, T.-H. Dinh, A. Sasanuma, G. Arai, H. Hara, Y. Fujii, T. Hatano, T. Ejima, W. Jiang, A. Sunahara, A. Takahashi, D. Nakamura, T. Okada, K. Sakaue, T. Miura, G. O’Sullivan, and T. Higashiguchi, Jpn. J. Appl. Phys. (Rapid Commun.) 57, 070311 (2018).
• S. Fujioka, H. Nishimura, K. Nishihara, M. Murakami, Y.-G. Kang, Q. Gu, K. Nagai, T. Norimatsu, N. Miyanaga, Y. Izawa, and K. Mima, Appl. Phys. Lett. 87, 241503 (2005).
• D. J. Hemminga, L. Poirier, M. M. Basko, R. Hoekstra, W. Ubachs, O. O. Versolato, and J. Sheil, Plasma Sources Sci. Technol. 30, 105006 (2021).

タイトルに関連する用語 (6件)： 半導体リソグラフィー ,  EUV ,  イオン ,  ブリ ,  価数 ,  エネルギースペクトル