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J-GLOBAL ID：202202271317515124   整理番号：22A1035794

非常に大きな直径のシリコン結晶成長における熱-溶質問題【JST・京大機械翻訳】

Thermo-Solutal Issues in Very Large Diameter Silicon Crystal Growth

著者 (4件)： Zhang T. (State University of New York at Stony Brook) ,  Wang G.-X. (University of Akron) ,  Ladeinde F. (State University of New York at Stony Brook) ,  Prasad V. (State University of New York at Stony Brook)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： IMECE98  ページ： 797-806  発行年： 2022年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在,直径200mmのウエハが半導体市場を支配しているが,300mmウエハは今世紀のターンで一般的に使用されると期待されている。メモリ(DRAM)とマイクロプロセッサ(MPU)デバイスmm直径単結晶の両方の高い集積化と性能のためチップサイズの増加によるチップ収率を増すために,より大きなウエハ直径が必要である。結晶径が200mmから300mmまたはそれ以上に増加すると,メルトのサイズは,かなり複雑な溶融動力学へと導く。乱流メルトフロー現象は,成長条件の予測と制御を非常に困難にする。従って,大きな溶融系における熱および物質移動の理解は,高品質で大きな直径のシリコン単結晶の成長および制御に重要である。本論文では,メルト中の乱流,熱伝達,酸素輸送および制御などの300mmシリコン結晶のCzochralski成長に関連する様々な熱溶質問題を検討し,最近の進展をレビューした。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  物質移動 ,  単結晶 ,  熱伝達 ,  半導体 ,  乱流 ,  品質 ,  ウエハ【IC】 ,  マイクロプロセッサ ,  *溶質 ,  DRAM ,  半導体チップ ,  メルト
準シソーラス用語： 単結晶シリコン ,  300mmウエハ ,  高品質 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I)

タイトルに関連する用語 (4件)： 直径 ,  シリコン ,  結晶成長 ,  溶質