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J-GLOBAL ID：202202271412650324   整理番号：22A0901302

酸化GaSe表面上のGa_2Se_3の自己組織化エピタクシーとGa_2Se_3/GaSeヘテロ構造の原子イメージング【JST・京大機械翻訳】

Self-assembled epitaxy of Ga₂Se₃ on the oxidized GaSe surface and atomic imaging of the Ga₂Se₃/GaSe heterostructure

著者 (14件)： Liu Jie (Analytical and Testing Center, Chongqing University, Chongqing 401331, China) ,  Li Jingwei (Multi-scale Porous Materials Center, Institute of Advanced Interdisciplinary Studies & School of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, China) ,  Gu Lixin (Key Laboratory of Earth and Planetary Physics & Electron Microscopy Laboratory, Institute of Geology and Geophysics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China) ,  Wu Hong (Center for Quantum Materials & Devices and College of Physics, Chongqing University, Chongqing 401331, China) ,  Han Guang (College of Materials Science and Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, China) ,  Wang Dengkui (State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, 7089 Wei-Xing Road, Changchun 130022, China) ,  Zhou Jinfei (Multi-scale Porous Materials Center, Institute of Advanced Interdisciplinary Studies & School of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, China) ,  Gong Xiangnan (Analytical and Testing Center, Chongqing University, Chongqing 401331, China) ,  Yang Dingfeng (College of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University of Technology, 69 Hongguang Rd., Lijiatuo, Banan District, Chongqing 400054, China) ,  Zheng Sikang (Center for Quantum Materials & Devices and College of Physics, Chongqing University, Chongqing 401331, China) ,  Zhang Daliang (Multi-scale Porous Materials Center, Institute of Advanced Interdisciplinary Studies & School of Chemistry and Chemical Engineering, Chongqing University, Chongqing 400044, China) ,  Zhang Bin (Analytical and Testing Center, Chongqing University, Chongqing 401331, China) ,  Zhou Xiaoyuan (Analytical and Testing Center, Chongqing University, Chongqing 401331, China) ,  Zhou Xiaoyuan (Center for Quantum Materials & Devices and College of Physics, Chongqing University, Chongqing 401331, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 586  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： セレン化ガリウム(GaSeおよびGa_2Se_3)およびそれらのヘテロ構造は,それらの魅力的な性質および光電および光触媒の分野における潜在的な応用により広く関係する。本研究では,GaSeの熱酸化による前例のないGa_2Se_3/GaSe自己集合ヘテロ構造を開発した。GaSeとGa_2Se_3/GaSeヘテロ構造の結晶構造と欠陥を,先進Cs-STEMイメージングによって研究した。このバルクGaSeはγ-GaSe介在物と構造欠陥,すなわち積層欠陥,双晶,及びアンチサイトと共に支配的な相としてε-ポリタイプを有する。GaSe酸化表面上に生成したGa_2Se_3層は欠陥のある閃亜鉛鉱状立方晶構造を示し,空格子点は{111}面上に局所的に秩序化し,超構造ドメインをもたらした。さらに,原子的にvan der WaalsエピタキシーとGa_2Se_3とGaSe間の配向関係を明らかにした。最後に,Ga_2Se_3/GaSeヘテロ構造の光学的性質を予備的に研究し,Ga_2Se_3/GaSeヘテロ構造の構造開発と特性調査のための将来の方向も議論した。これらの知見は,GaSeとGa_2Se_3/GaSeヘテロ構造の微視的構造を認識するのに洞察力があり,他の関連する層状半導体における自己集合ヘテロ構造の生成のための貴重な経路を提供する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *エピタクシー ,  結晶構造 ,  光学的性質 ,  双晶 ,  半導体 ,  *画像処理 ,  閃亜鉛鉱 ,  *素子構造 ,  立方晶系 ,  ポリタイプ ,  積層欠陥 ,  光触媒 ,  介在物 ,  自己集合
準シソーラス用語： 超構造 ,  *ヘテロ構造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： GaSe bulk crystal ,  GaSe oxidized surface ,  Ga₂Se₃/GaSe heterostructure ,  Atomic imaging ,  Van der Waals epitaxy

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 酸化 ,  GaSe ,  自己組織化 ,  エピタクシー ,  ヘテロ構造 ,  原子 ,  イメージング