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J-GLOBAL ID：202202271683263017   整理番号：22A0396675

両極性SnO薄膜トランジスタ用のCMOS様インバータの電圧伝達特性【JST・京大機械翻訳】

Voltage Transfer Characteristics of CMOS-Like Inverters for Ambipolar SnO Thin-Film Transistors

著者 (3件)： Zhang Yong (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at San Diego, San Diego, CA, USA) ,  Huang Chi-Hsin (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at San Diego, San Diego, CA, USA) ,  Nomura Kenji (Department of Electrical and Computer Engineering, University of California at San Diego, San Diego, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 43  号： 1  ページ： 52-55  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二極性SnO薄膜トランジスタを用いた相補的金属-オキシド-半導体(CMOS)様インバータの電圧伝達特性(VTC)を,多数/少数キャリア移動度のような両極性パラメータを抽出するために,解析シミュレーションに基づいて解析した。劣った電子移動度に起因する非平衡大多数キャリア移動度はインバータ特性を制限し,少数キャリア伝導は酸化物-CMOS様インバータにおける非完全スイングZ型VTCをもたらした。SnOチャネルにおけるサブギャップ欠陥状態を減らすことにより,大多数/少数キャリア移動度比がVTCを改善する鍵となるパラメータであることを見出した。また,CMOS様インバータを用いて3段リング発振器を作製し,正/負電源電圧による両極性動作を確認した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  シミュレーション ,  *電圧 ,  半導体 ,  酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  非平衡状態 ,  少数キャリア ,  リング発振器 ,  *CMOS
準シソーラス用語： 電子移動度 ,  電源電圧 ,  両極性 ,  *伝達特性 ,  サブギャップ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  電力変換器  (NB08030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 両極性 ,  薄膜トランジスタ ,  CMOS ,  インバータ ,  伝達特性