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J-GLOBAL ID:202202271745025433   整理番号:22A0958751

IDeF-X HDBD:宇宙科学応用における半導体検出器によるイメージング分光法のための低雑音ASIC【JST・京大機械翻訳】

IDeF-X HDBD: Low-Noise ASIC for Imaging Spectroscopy With Semiconductor Detectors in Space Science Applications
著者 (12件):
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巻: 69  号:ページ: 620-626  発行年: 2022年 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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IDeF-X HDBD集積回路,著者らの最新の32チャネル応用仕様集積回路を,-40から40fCの範囲の電荷を読むために設計した半導体光子計数X線検出器に充てた。チップは17電子rmsの等価雑音電荷(ENC)床に達し,低入力容量(<10pF)に対して最適化した。各チャネルは,最適化電荷感度増幅器(CSA)に基づき,次にCR-RC2フィルタと850ΩμW/チャネルの電力消費を有するピーク検出器に基づく。利得と成形時間は調整可能である。この回路は,宇宙応用要件を満たすために,放射緩和技術で設計した。このASICは,イメージング-分光法応用のためのテルル化カドミウムまたはシリコン検出器のいずれかを読むことができる。1チャネルに接続した単一ピクセルシリコンドリフト検出器を用いて,6keVでの230eVFHWMのエネルギー分解能と1.2keVの低レベル閾値を実証した。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の放射線による構造と物性の変化  ,  半導体集積回路 

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