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J-GLOBAL ID:202202271849027977   整理番号:22A0727490

高分子太陽電池用のワイドバンドギャップ高分子ドナーの光起電力性能に及ぼすフッ素置換の影響【JST・京大機械翻訳】

Influence of Fluorine Substitution on the Photovoltaic Performance of Wide Band Gap Polymer Donors for Polymer Solar Cells
著者 (16件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 5740-5749  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2329A  ISSN: 1944-8244  CODEN: AAMICK  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ワイドバンドギャップ(WBG)高分子ドナーの設計と開発は,高分子太陽電池における高い電力変換効率(PCE)を達成するために重要である。本研究では,フッ素置換の異なる数および位置(それぞれn=0,2,2および4)を有する4つのWBGポリマードナー,Q4,Q5,Q6およびQ7を調製し,それらの光起電性能に及ぼすフッ素化の影響を,系統的に調査した。小分子電子アクセプタMeICとブレンドすると,Q4,Q5,Q6,Q7に基づくデバイスは,それぞれ10.34,11.06,5.26,0.48%のPCEを示した。全高分子太陽電池(全PSC)を作製するために,低バンドギャップ高分子アクセプタPYITと結合したとき,他の3つのポリマー(Q5-Q7)は0.12-6.71%の範囲で非常に低いPCEを示したが,Q4ポリマーベースの全PSCは,星状重合体ドナーPM6(PCE=15.00%)で作製したデバイスに匹敵する15.06%の最高PCEを示した。詳細な物理化学的および形態学的研究は,Q7におけるFの過剰置換が,望ましくない低いHOMOレベルおよびアクセプタによる相分離をもたらし,その結果,その劣ったPCEをもたらすことを明らかにした。さらに,Q4およびQ5におけるF置換位置のより少ないF置換および制御は,HOMOエネルギーレベルマッチングならびにアクセプタを有するこれら2つのポリマーの間のモルフォロジーを改善でき,さらに,より高い性能をもたらした。明らかに,著者らの結果は,Q4が高性能全PSCの有望なドナー候補であり,高分子骨格におけるF置換の数と位置の微調整が高性能WBG高分子ドナーの開発に不可欠であることを示した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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太陽電池 

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