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J-GLOBAL ID：202202271929197909   整理番号：22A0854467

アルミニウムと銅のバックエンドを用いたSiGe技術におけるVバンドT/R増幅器モジュールの性能比較【JST・京大機械翻訳】

Performance Comparison of V-band T/R Amplifier Module in SiGe Technology using Aluminium and Copper Back-end of line

著者 (4件)： Gadallah Ahmed (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Frankfurt (Oder),Germany) ,  Eissa Mohamed H. (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Frankfurt (Oder),Germany) ,  Kissinger Dietmar (Ulm University,Ulm,Germany) ,  Malignaggi Andrea (IHP - Leibniz-Institut fuer innovative Mikroelektronik,Frankfurt (Oder),Germany)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2022  号： SiRF  ページ： 20-22  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,SiGe:C130nm BiCMOS技術におけるVバンドT/R増幅器モジュールの性能比較を示し,2つの異なるバックエンド,アルミニウムおよび銅を用いて実現した250/340GHzのf_t/f_maxを特徴とする。T/R増幅器モジュールは,統合/ハイブリッドフェイズドアレイシステムのために使用可能であり,2つのSPDTスイッチ,Tx経路におけるPAおよびRx経路におけるLNAから成った。測定結果は,銅バックエンドを用いて実現した増幅器モジュールが約1dB高い利得,Txモードで0.5dB高い出力1dBの圧縮点,およびRxモードで0.4dB低い雑音図を,アルミニウムバックエンドに基づくものと比べて示す。T/R増幅器モジュールは1.1mm2面積を占め,T_x/R_xモードで160mW/50mWを消費する。Copyright 2022 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  *増幅器 ,  *アルミニウム ,  *銅 ,  利得 ,  BiCMOS
準シソーラス用語： 性能比較 ,  バックエンド ,  *シリコンゲルマニウム ,  *Vバンド ,  SPDTスイッチ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 医用画像処理  (JE04020T) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (8件)： アルミニウム ,  銅 ,  バックエンド ,  SiGe ,  Vバンド ,  増幅器 ,  モジュール ,  性能比較