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J-GLOBAL ID:202202271949396693   整理番号:22A0741224

高性能電界効果トランジスタのためのチエノチオフェン-ビスオキソインドリニリデン-ベンゾジフラノジオン共重合体における調整可能な電荷輸送極性【JST・京大機械翻訳】

Tunable charge-transport polarity in thienothiophene-bisoxoindolinylidene-benzodifurandione copolymers for high-performance field-effect transistors
著者 (9件):
資料名:
巻: 10  号:ページ: 2671-2680  発行年: 2022年 
JST資料番号: W2383A  ISSN: 2050-7526  CODEN: JMCCCX  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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N型半導体ポリマーは,現代のエレクトロニクスのための重要な材料であるが,多様性と性能には限界がある。新しいn型高分子半導体を設計するために,骨格と側鎖修飾の両方を含む構造パラメータ間の賢明なトレードオフを必要とする。骨格修飾の魅力は,調整可能な電子構造と立体配座制御から出現する。これらの効果を制御するために,ハロゲンのような置換基の設置が必要である。高い分子複雑性を有する高分子系では,メチルおよびメトキシ基のようないくつかの共通の置換基は,化学空間の未開発領域である。本研究では,電界効果性能に及ぼすメチル-およびメトキシ-置換チエノチオフェン-ビス(オキソインドリニリデン)ベンゾジフラノジオン共重合体における置換基効果を調べた。2つの置換基は骨格の立体配座に影響し,重合体のフロンティア軌道エネルギー準位を増加させた。このような電子効果を用いて,nチャネルから両極性への電荷輸送挙動を調整することができた。この戦略は,他の高分子半導体における骨格修飾のための更なる置換パターンを可能にする。Copyright 2022 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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高分子固体の物理的性質 
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