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J-GLOBAL ID：202202272078153478   整理番号：22A0862139

van der Waals単結晶セレン化インジウムにおける弾性特性と変形機構【JST・京大機械翻訳】

Elastic Properties and Deformation Mechanisms in the van der Waals Single-Crystalline Indium Selenide

著者 (5件)： Zheng Qi (Department of Civil and Environmental Engineering, University of California Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Zheng Qi (School of Materials Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Liang Chengyao (Department of Civil and Environmental Engineering, University of California Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Jiang Jinyang (School of Materials Science and Engineering, Southeast University, Nanjing, 211189, P. R. China) ,  Li Shaofan (Department of Civil and Environmental Engineering, University of California Berkeley, Berkeley, CA, 94720, USA)
資料名： Physica Status Solidi. Rapid Research Letters  (Physica Status Solidi. Rapid Research Letters)
巻： 16  号： 3  ページ： e2100418  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1880A  ISSN： 1862-6254  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バルクvan der Waals(vdW)単結晶セレン化インジウム(β-InSe)は,ミクロおよびマクロスケールの両方で層状結晶形において例外的な塑性を示す。しかし,塑性のナノスケールの起源は不明のままである。ここでは,第一原理計算を用いてInSeの変形機構に関する原子レベルの研究を行った。顕著な異方性弾性がvdW InSe層状結晶で観察され,剛性は層状構造のvdWギャップのため劇的に軟化した。シミュレーションは,[100]と[110]方向の荷重方向-脆性破壊と[001]方向の延性破壊に依存して,単軸引張変形における明確な破壊モードを捉える。InSe層状結晶構造は一軸圧縮下で超塑性変形性を示した。層間タングルリング,非晶質化,および架橋を含む異なる遷移経路を,それぞれの変形方向に沿って追跡した。InSe層状結晶の前例のない塑性は,層間滑りと交差層転位すべりと結合した相転移に起因した。本研究は,原子レベルでの層状材料の変形メカニズムの理解を深め,その変形メカニズムに基づく低次元材料設計のための材料特性の調整への洞察を提供する。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 塑性 ,  結晶構造 ,  *単結晶 ,  *結晶 ,  剛性 ,  *セレン化物 ,  層状組織 ,  *インジウム化合物 ,  引張変形 ,  延性破壊 ,  破壊モード ,  アモルファス化
準シソーラス用語： ナノスケール ,  *セレン化インジウム ,  第一原理計算 ,  *変形機構 ,  転位すべり , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (7件)： 2D materials ,  deformation mechanism ,  elastic moduli ,  first-principles calculations ,  indium (II) selenide (β-InSe) ,  plasticity ,  van der Waals material

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の結晶成長  (BK13040X)

タイトルに関連する用語 (4件)： VAN ,  単結晶 ,  セレン化インジウム ,  弾性特性