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J-GLOBAL ID：202202272525318630   整理番号：22A0975240

高エントロピー酸化物リラクサ強誘電体【JST・京大機械翻訳】

High Entropy Oxide Relaxor Ferroelectrics

著者 (18件)： Sharma Yogesh (Center for Integrated Nanotechnologies (CINT), Los Alamos National Laboratory, New Mexico, United States) ,  Sharma Yogesh (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Lee Min-Cheol (Center for Integrated Nanotechnologies (CINT), Los Alamos National Laboratory, New Mexico, United States) ,  Pitike Krishna Chaitanya (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Mishra Karuna K. (Department of Physics and Institute for Functional Nanomaterials, University of Puerto Rico, Puerto Rico, United States) ,  Zheng Qiang (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Gao Xiang (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Musico Brianna L. (Sigma Division, Los Alamos National Laboratory, New Mexico, United States) ,  Musico Brianna L. (Department of Materials Science and Engineering, University of Tennessee, Tennessee, United States) ,  Mazza Alessandro R. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Katiyar Ram S. (Department of Physics and Institute for Functional Nanomaterials, University of Puerto Rico, Puerto Rico, United States) ,  Keppens Veerle (Department of Materials Science and Engineering, University of Tennessee, Tennessee, United States) ,  Brahlek Matthew (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Yarotski Dmitry A. (Center for Integrated Nanotechnologies (CINT), Los Alamos National Laboratory, New Mexico, United States) ,  Prasankumar Rohit P. (Center for Integrated Nanotechnologies (CINT), Los Alamos National Laboratory, New Mexico, United States) ,  Chen Aiping (Center for Integrated Nanotechnologies (CINT), Los Alamos National Laboratory, New Mexico, United States) ,  Cooper Valentino R. (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States) ,  Ward T. Zac (Materials Science and Technology Division, Oak Ridge National Laboratory, Tennessee, United States)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 14  号： 9  ページ： 11962-11970  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リラクサ強誘電体は,強い電気機械応答,エネルギー貯蔵容量,電気熱量効果,および焦電エネルギー変換特性のため,技術的応用において重要である。このクラスの材料を発見し,設計するための現在の努力は,一般的に,局所組成秩序へのわずかな変化がCurie温度,モルフォトロピック相境界,および電気機械的応答に大きく影響するので,置換ドーピングに依存する。本研究では,ABO_3ペロブスカイトにおける組成の複雑さの強い限界への移動が,単一の狭い相転移領域に依存しないリラクサ応答の安定化を可能にすることを実証した。エントロピー支援合成法を利用して,単結晶Ba-(Ti_0.2Sn_0.2Zr_0.2Hf_0.2Nb_0.2)-O_3[Ba-(5B)-O]膜を合成した。この系に存在する高レベルの立体配置無秩序は,誘電緩和,相転移,ナノ極性分域形成,Curie温度に影響することが分かった。温度依存誘電,Raman分光法および第二高調波発生測定は,多重相転移,高いCurie温度570K,およびBa-(5B)-O膜のリラクサ強誘電性を明らかにした。第一原理計算を用いて,リラクサ強誘電体を設計し,これらの高度に無秩序な単相ペロブスカイト系を合成する相対的実現可能性を定量化するためのカチオンの可能な組合せを予測した。Bサイト上の種々のカチオンを有する単相ペロブスカイトを安定化する能力は,圧電,焦電,および電気熱量用途のための高性能リラクサ強誘電体材料を設計する可能性を提供する。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Curie温度 ,  *エントロピー ,  相転移 ,  単結晶 ,  分域 ,  誘電緩和 ,  *誘電体 ,  圧電気 ,  強誘電性 ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  カチオン ,  単相 ,  *リラクサ
準シソーラス用語： 第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 高エントロピー酸化物 ,  立体配置障害 ,  リラクサ強誘電体 ,  誘電体 ,  薄膜エピタクシー ,  ペロブスカイト酸化物

分類 (4件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： エントロピー ,  酸化物 ,  リラクサ強誘電体