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J-GLOBAL ID:202202272596966833   整理番号:22A0973107

高pHでのサファイア-cへのCTABの吸着:和周波数及び第二高調波発生と組み合わせた表面及びZeta電位測定【JST・京大機械翻訳】

Adsorption of CTAB on Sapphire-c at High pH: Surface and Zeta Potential Measurements Combined with Sum-Frequency and Second-Harmonic Generation
著者 (9件):
資料名:
巻: 38  号: 11  ページ: 3380-3391  発行年: 2022年 
JST資料番号: A0231B  ISSN: 0743-7463  CODEN: LANGD5  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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サファイヤ-c表面へのセチルトリメチルアンモニウムブロミド(CTA+Br-)の吸着を,界面活性剤臨界ミセル濃度以下のpH10で研究した。CTAB濃度の関数としての界面電位の発展を,表面およびゼータ電位測定により特性評価し,分子動力学(MD)シミュレーションならびに第二高調波(SHG)および振動和周波数発生(SFG)分光法で補完した。界面電位の変化は,脱プロトン化表面アルミノル基による負の界面電荷が中和され,界面でのCTA+カチオンの存在により補償できることを示唆した。しかし,強い水素結合界面水分子からのSFG強度とSHG強度は,CTAB濃度と表面電位の大きさの両方の増加とともに減少する。それらは界面での電荷反転を示唆しないが,ゼータ電位の変化は実際に見かけの電荷反転と一致する。これはMDシミュレーションの結果によって定性的に説明でき,それは水分子の最初の強束縛水和層の外側に吸着されたCTA+カチオンを明らかにし,そこでは構造秩序を局所的に歪め,第一層に隣接する界面水分子の一部を置換できる。これはCTAB濃度の増加に伴うSFGとSHG強度の顕著な損失の起源であると提案した。さらに,CTA+は対イオンとして作用し,表面電位の減少と一致する脱プロトン化表面アルミノールの発生を増強することを提案した。Copyright 2022 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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物理的手法を用いた吸着の研究 

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