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J-GLOBAL ID：202202272754844245   整理番号：22A0836165

歪とRashbaスピン-軌道相互作用下のホスホレン多重量子障壁構造のスピン輸送特性【JST・京大機械翻訳】

Spin transport properties of phosphorene multiple quantum barrier structure under strain and Rashba spin-orbit interaction

著者 (2件)： Sattari Farhad (Department of Physics, Faculty of Sciences, University of Mohaghegh Ardabili, P.O. Box 179, Ardabil, Iran) ,  Sattari Farhad (Nanoscience and Nanotechnology Research Center, University of Mohaghegh Ardabili, Ardabil, Iran)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials  (Materials Science & Engineering. B. Advanced Functional Solid-State Materials)
巻： 278  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スピン依存輸送特性に対する歪とRashbaスピン-軌道結合(RSOC)の影響を,多重量子障壁構造を有する単層ホスホレン中で調べた。スピン-フリップの有/無のスピン依存コンダクタンスはRSOCと振動挙動を持ち,コンダクタンスの振動特性は障壁数の増加により増大することが分かった。スピン依存コンダクタンスは歪に対して高感度を示した。結果は,歪の項におけるスピン依存コンダクタンスが障壁の数の増加とともに減少することを示した。完全スピン分極電流が,歪下で多重量子障壁構造を有する単層ホスホレンで実現できることを実証した。特に,スピン分極の大きさと符号は,機械的及び外部電場によって効率的に調整できた。これらの輸送特性は,ホスホレン多重量子障壁構造が将来のスピントロニクスと歪トロニクス応用の理想的な候補であることを示す。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 障壁 ,  *輸送現象 ,  構造 ,  スピン分極 ,  *ポテンシャル障壁 ,  単一層 ,  高感度 ,  *コンダクタンス ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： スピンフリップ ,  *スピン輸送 ,  *輸送特性 ,  スピン電流 ,  外部電場 ,  *Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  *多重量子障壁 ,  *フォスフォレン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： ホスホレン多重量子障壁構造 ,  スピン分極 ,  歪Rashbaスピン-軌道結合 ,  スピンフリップ

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Rashbaスピン-軌道相互作用 ,  ホスホレン ,  多重量子障壁 ,  スピン ,  輸送特性