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J-GLOBAL ID：202202272797898492   整理番号：22A1113179

オプトエレクトロニクス応用のためのXLaS_2(XCu,Zn)の構造的,光電子的および機械的特性の第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

First principles study of the structural, optoelectronic and mechanical properties of XLaS₂ (XCu, Zn) for optoelectronic applications

著者 (8件)： Khalil R.M. Arif (Materials Simulation Research Laboratory (MSRL), Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan) ,  Hussain Muhammad Iqbal (Materials Simulation Research Laboratory (MSRL), Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan) ,  Hussain Muhammad Iqbal (Department of Physics, University of Education, Lahore 54000, Pakistan) ,  Rana A.M. (Materials Simulation Research Laboratory (MSRL), Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan) ,  Hussain Fayyaz (Materials Simulation Research Laboratory (MSRL), Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan) ,  Inam Neelam (Materials Simulation Research Laboratory (MSRL), Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan) ,  Somaily H.H. (Department of Physics, Faculty of Science, King Khalid University, P.O. Box 9004, Abha, Saudi Arabia) ,  Hayat Shafqat (Materials Simulation Research Laboratory (MSRL), Department of Physics, Bahauddin Zakariya University, Multan 60800, Pakistan)
資料名： Optik  (Optik)
巻： 258  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0251A  ISSN： 0030-4026  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オプトエレクトロニック応用のための最も適切な材料の探索は,科学と技術の現在の時代の必要事項である。ここでは,光電子応用のためのXLaS_2(XCu,Zn),単斜晶構造の構造パラメータ,光電子および機械的挙動を考察した。CuLaS_2に対する計算した格子定数はa=6.551Å,b=7.218Å,c=6.852Åであり,格子角α=90°,β=98°およびγ=90°であり,一方ZnLaS_2に対してはa=6.619Å,b=7.310Å,c=6.926Åおよびα=90°,β=98°およびγ=90°であった。さらに,CuLaS_2とZnLaS_2について計算されたエネルギーバンドギャップの値は,それぞれ1.26eVと0.27eVであり,それらの半導体的性質を明らかにした。全状態密度(TDOS)と部分状態密度(PDOS)をPerdew Burke Ernzerhof一般化勾配近似(PBE-GGA)を用いて決定した。さらに,誘電関数,吸収係数,屈折率,光学伝導率,反射率およびエネルギー損失関数を,それらの光学挙動を求めるための0.5eVスミアリング値で評価した。Bornの判定基準に従って,CuLaS_2は,異なる機械的応用のための延性材料としてZnLaS_2が脆性であることがわかる。さらに,これらの材料は異方性挙動を保持した。これらの材料は,電磁放射からの紫外線の良好な吸収体であることが判明し,このユニークな品質は,光電子用途のための非常に適切な材料を宣言する。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 吸収係数 ,  屈折率 ,  格子定数 ,  紫外線 ,  半導体 ,  エネルギー ,  脆性 ,  *オプトエレクトロニクス ,  単斜晶系 ,  状態密度 ,  電磁波放射 ,  誘電関数 ,  バンドギャップ ,  *光電子
準シソーラス用語： 一般化勾配近似 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： DFT ,  PDOS ,  TDOS ,  光学特性 ,  PBE-GGA

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (7件)： オプトエレクトロニクス ,  応用 ,  Zn ,  光電子 ,  機械的特性 ,  第一原理 ,  研究