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J-GLOBAL ID：202202272804080993   整理番号：22A0679354

SOI-パワーMOSFETにおける寄生バイポーラ効果と機械的応力効果の実験的評価

Experimental Evaluation of Parasitic Bipolar Effects and Mechanical Stress Effects in SOI-Power-MOSFETs

著者 (4件)： 塩塚航生 (鹿児島大学大学院理工学研究科) ,  小金丸正明 (鹿児島大学大学院理工学研究科) ,  松本聡 (九州工業大学大学院工学研究院) ,  池田徹 (鹿児島大学大学院理工学研究科)
資料名： エレクトロニクス実装学会誌  (Journal of Japan Institute of Electronics Packaging)
巻： 25  号： 1  ページ： 103-110(J-STAGE)  発行年： 2022年 
JST資料番号： S0579C  ISSN： 1343-9677  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では,SOI-パワーMOSFETにおける寄生バイポーラ効果と機械的応力効果を実験的に評価し,それらの相互作用を明らかにすることを目的とした。機械的負荷下での電気特性変動は,4点曲げ試験により評価した。ドレイン電圧-ドレイン電流特性では,ゲート電圧が小さいほど寄生バイポーラ効果によるドレイン電流の増加が顕著に見られた。ピエゾ効果のみによる電流特性変動領域と寄生バイポーラ効果が発現する領域との比較から,寄生バイポーラ効果が機械的負荷に起因する電気特性変動を加速させることが示唆された。また,電流方向に対する負荷方向依存性の存在が示唆されたが,ゲート長さ依存性は明確にならなかった。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  *SOI構造 ,  応力 ,  機械刺激 ,  曲げ試験 ,  電流電圧特性

著者キーワード (5件)： SOI ,  MOSFET ,  4-point Bending ,  Mechanical Stress Effects ,  Parasitic Bipolar Effects

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (16件)：

• 1) 三浦英生,西村朝雄,河合末男,西 邦彦:“ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ残留応力の検討,”日本機械学会論文集 (A編),Vol. 55, No. 516, pp. 1763-1770, Aug. 1989
• 2) 小金丸正明,池田 徹,宮崎則幸:“ピエゾ抵抗テストチップと有限要素法解析を用いた樹脂封止に起因する半導体チップ表面の残留応力評価,”エレクトロニクス実装学会誌,Vol. 9, No. 3, pp. 186-194, Mar. 2006
• 3) 三浦英生,西村朝雄:“パッケージング応力起因の半導体素子特性変動,”日本機械学会論文集 (A編),Vol. 61, No. 589, pp. 1957-1964, Sep. 1995
• 4) C. Gallon, G. Reimbold, G. Ghibaudo, R. A. Bianchi, R. Gwoziecki, S. Orain, E. Robilliart, C. Raynaud, and H. Dansas: "Electrical Analysis of Mechanical Stress Induced by STI in Short MOSFETs Using Externally Applied Stress," IEEE Transantions on Electron Devices, Vol. 51, No. 8, pp. 1254-1261, Aug. 2004
• 5) 熊谷幸博,太田裕之,三浦英生,清水昭博,蒲原史朗,前川径一:“ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発,”日本機械学会論文集 (A編),Vol. 72, No. 713, pp. 47-54, Jan. 2006

タイトルに関連する用語 (7件)： SOI ,  パワーMOSFET ,  寄生 ,  バイポーラ ,  機械的応力 ,  実験 ,  評価