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J-GLOBAL ID：202202273120009248   整理番号：22A0829750

内部収縮基板上に形成した有機電界効果トランジスタ【JST・京大機械翻訳】

Organic Field-Effect Transistor Fabricated on Internal Shrinking Substrate

著者 (12件)： Dai Derek Shui Hong Siddhartha (Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam, Hong Kong, China) ,  Dai Derek Shui Hong Siddhartha (Advanced Biomedical Instrumentation Centre, Hong Kong, China) ,  Peng Boyu (Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam, Hong Kong, China) ,  Chen Ming (Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam, Hong Kong, China) ,  He Zhenfei (Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam, Hong Kong, China) ,  Leung Timothy Ka Wai (Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam, Hong Kong, China) ,  Chik Gary Kwok Ki (Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam, Hong Kong, China) ,  Chik Gary Kwok Ki (Advanced Biomedical Instrumentation Centre, Hong Kong, China) ,  Fan Sufeng (Department of Mechanical Engineering, City University of Hong Kong, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Lu Yang (Department of Mechanical Engineering, City University of Hong Kong, Kowloon, Hong Kong, China) ,  Chan Paddy K. L. (Department of Mechanical Engineering, The University of Hong Kong, Pokfulam, Hong Kong, China) ,  Chan Paddy K. L. (Advanced Biomedical Instrumentation Centre, Hong Kong, China)
資料名： Small  (Small)
巻： 18  号： 8  ページ： e2106066  発行年： 2022年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブル有機電界効果トランジスタ(OFET)の開発において,動作電圧のダウンサイジングと低減は,低動作電力で高電流密度を達成するために不可欠である。OFETのバイアス電圧は,高k誘電体によって減少できるが,ゼロに近い閾値電圧を達成することは,課題のままである。さらに,OFETのスケールダウンはフォトリソグラフィーの使用を必要とし,有機半導体における相溶性問題につながる可能性がある。ここでは,有機半導体の延性特性に基づく新しい戦略を開発し,同時にOFETをダウンサイジングしながら,ゼロに近い閾値電圧を制御した。OFETを,室温でプレストレスポリスチレン収縮膜基板上に作製し,次に,熱エネルギー(160°C)を用いて,歪を解放した。皺構造に共形に付着したOFETは電場を局所的に増幅することを示した。収縮後,水平デバイス面積は75%減少し,閾値電圧は-1.44から-0.18Vに減少し,サブ閾値スイングは74mVdec-1,固有利得は4.151×104であった。これらの結果は,収縮膜が,OFETをダウンサイジングし,その性能を改善する基板として一般的に使用できることを明らかにした。Copyright 2022 Wiley Publishing Japan K.K. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 延性 ,  電場 ,  有機半導体 ,  誘電体薄膜 ,  電力 ,  相溶性 ,  性能指数 ,  利得 ,  絶縁膜 ,  フォトリソグラフィー ,  *ダウンサイジング
準シソーラス用語： 高k誘電体 ,  *有機FET ,  閾値電圧 ,  バイアス電圧 ,  熱エネルギー ,  スケールダウン ,  サブ閾値スイング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高k誘電体 ,  有機電界効果トランジスタ ,  スケールダウン ,  収縮フィルム ,  サブ閾値スイング

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (2件)： 収縮 ,  有機電界効果トランジスタ