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J-GLOBAL ID：202202273331958798   整理番号：22A0687616

高ZTおよび強異方性熱電材料の予測:単層InClSe【JST・京大機械翻訳】

Prediction of a high-ZT and strong anisotropic thermoelectric material: Monolayer InClSe

著者 (10件)： Huang Si-Zhao (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 611731, China) ,  Feng Qing-Yi (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 611731, China) ,  Wang Bi-Yi (Science and Technology on Electro-Optical Information Security Control Laboratory, Tianjin, 300308, China) ,  Yang Hong-Dong (Shanghai Institute of Space Power-Sources, Shanghai, 200245, China) ,  Li Bo (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 611731, China) ,  Xiang Xia (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 611731, China) ,  Zu Xiao-Tao (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 611731, China) ,  Deng Hong-Xiang (School of Physics, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, 611731, China) ,  Deng Hong-Xiang (Yangtze Delta Region Institute (Huzhou), University of Electronic Science and Technology of China, Huzhou, 313001, China) ,  Deng Hong-Xiang (Science and Technology on Electro-Optical Information Security Control Laboratory, Tianjin, 300308, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 138  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,単層InClSeの熱電(TE)特性を,FeOCl型2D材料の新しいメンバーであるBoltzmann輸送理論と組み合わせた第一原理計算を用いて調べた。xおよびy軸に沿った電子および熱輸送パラメータは全く異なり,単層InClSeの強い異方性熱電性能をもたらし,異方性熱電素子を設計する可能性を提供した。n型ドーピングでは,単層InClSeはx軸に沿って高い電気伝導率を持つ。詳細な計算は,高い電気伝導率が長い電子緩和時間と電子伝導チャンネルの高い連結性に由来することを明らかにした。高い電気伝導率と満足なSeebeck係数は単層InClSeの優れた力率(PF)をもたらす。n型ドーピングでは,x軸に沿った最適PFは700Kで47.8mWm-1K-2に達し,これは最も典型的な熱電材料よりはるかに高い。優れたPFと抑制された格子熱伝導率を組み合わせて,n型ドーピング単層InClSeはx軸に沿って広い温度範囲(300K~700K)で高いZT値を持ち,最大ZT値は700Kで2.82に達した。著者らの結果は,単層InClSeが中程度の温度範囲でのエネルギーハーベスティングのための有望な熱電候補であることを示す。Copyright 2022 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電子 ,  電気伝導率 ,  熱伝導率 ,  輸送現象 ,  輸送理論 ,  力率 ,  計算 ,  ドーピング ,  熱電素子 ,  二次元 ,  輸送係数 ,  *熱電材料
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  電子伝導 ,  第一原理計算 ,  熱輸送 ,  エネルギーハーベスティング ,  格子熱伝導率 ,  n型ドーピング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 第一原理 ,  単分子層InClSe ,  熱電性 ,  異方性

分類 (2件)： 熱電デバイス  (NC03090J) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (4件)： 異方性 ,  熱電材料 ,  予測 ,  単層